MOS管發(fā)熱異??偨Y(jié) 排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-04-22
在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候常常會(huì)發(fā)生MOS管發(fā)熱的情況,而MOS管發(fā)熱說(shuō)明了它正在錯(cuò)誤運(yùn)行。為了避免MOS管發(fā)熱危害到整體設(shè)備的運(yùn)行,所以在再次運(yùn)行之前需要先排查出MOS管發(fā)熱的原因。MOS管發(fā)熱無(wú)非是這幾種情況,本文主要是給大家分享一下MOS管發(fā)熱異常,排查原因來(lái)優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行。
(一)電路設(shè)計(jì)
讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。
(二)工作頻率
這是在調(diào)試過(guò)程中比較常見(jiàn)的現(xiàn)象,降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。對(duì)于前者,注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高,雖然負(fù)載電壓高,效率會(huì)高點(diǎn)。對(duì)于后者,可以嘗試以下幾個(gè)方面:
1、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn)
2、布線干凈點(diǎn),特別是sense這個(gè)關(guān)鍵路徑
3、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感
4、加RC低通濾波吧,這個(gè)影響有點(diǎn)不好,C的一致性不好,偏差有點(diǎn)大,不過(guò)對(duì)于照明來(lái)說(shuō)應(yīng)該夠了。無(wú)論如何降頻沒(méi)有好處,只有壞處,所以一定要解決。
有些時(shí)候,MOS管頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大。
三、散熱設(shè)計(jì)
電路板沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
總結(jié)一:MOS管發(fā)熱原因小結(jié)
1、電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
2、頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3、沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
4、MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。
總結(jié)二:MOS管工作狀態(tài)分析
MOS管工作狀態(tài)有四種,開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程,截止?fàn)顟B(tài);
MOS管主要損耗:開(kāi)關(guān)損耗,導(dǎo)通損耗,截止損耗,還有雪崩能量損耗,開(kāi)關(guān)損耗往往大于后者;
MOS管主要損壞原因:過(guò)流(持續(xù)大電流或瞬間超大電流),過(guò)壓(D-S,G-S被擊穿),靜電(個(gè)人認(rèn)為可屬于過(guò)壓);
總結(jié)三:MOS管工作過(guò)程分析
MOS管工作過(guò)程非常復(fù)雜,里面變量很多,總之開(kāi)關(guān)慢不容易導(dǎo)致米勒震蕩(介紹米勒電容,米勒效應(yīng)等,很詳細(xì)),但開(kāi)關(guān)損耗會(huì)加大,發(fā)熱大;開(kāi)關(guān)的速度快,損耗會(huì)減低,但是米勒震蕩很厲害,反而會(huì)使損耗增加。驅(qū)動(dòng)電路布線和主回路布線要求很高,最終就是尋找一個(gè)平衡點(diǎn),一般開(kāi)通過(guò)程不超過(guò)1us;
總結(jié)四:MOS管的重要參數(shù)及選型
Qgs:柵極從0V充電到對(duì)應(yīng)電流米勒平臺(tái)時(shí)總充入電荷,這個(gè)時(shí)候給Cgs充電(相當(dāng)于Ciss,輸入電容);
Qgd:整個(gè)米勒平臺(tái)的總充電電荷(不一定比Qgs大,僅指米勒平臺(tái));
Qg:總的充電電荷,包含Qgs,Qgd,以及之外的其它;
上述三個(gè)參數(shù)的單位是nc(納庫(kù)),一般為幾nc到幾十nc;
Rds(on):導(dǎo)通內(nèi)阻,這個(gè)耐壓一定情況下,越小損耗;
總的選型規(guī)則:Qgs、Qgd、Qg較小,Rds(on)也較小的管。
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