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廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

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國產(chǎn)高壓MOS管專業(yè)制造-國產(chǎn)高壓MOS管選型表|封裝|價(jià)格-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-03-28 

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國產(chǎn)高壓MOS管

國產(chǎn)高壓MOS管公司簡(jiǎn)介

深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司(簡(jiǎn)稱KIA半導(dǎo)體).是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


國產(chǎn)高壓MOS管


KIA半導(dǎo)體,已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來自韓國(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì),可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來設(shè)計(jì)方案,同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國外先進(jìn)設(shè)備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。


國產(chǎn)高壓MOS管


強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。


國產(chǎn)高壓MOS管


KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新,力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。


國產(chǎn)高壓MOS管


KIA半導(dǎo)體國產(chǎn)高壓MOS管產(chǎn)品

專注于功率半導(dǎo)體開發(fā)得基礎(chǔ),在2007年KIA在韓國浦項(xiàng)工科大學(xué)內(nèi)擁有了專業(yè)合作設(shè)計(jì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)得8英寸VD-MOS晶圓廠。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列產(chǎn)品,可以提供樣品,以及有多種封裝SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封裝是與國內(nèi)一流封裝廠家合作。


國產(chǎn)高壓MOS管


KIA半導(dǎo)體包裝展示圖:


國產(chǎn)高壓MOS管



國產(chǎn)高壓MOS管產(chǎn)品特點(diǎn)

(1)它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好


(2)場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大


(3)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS來控制ID


(4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)


(5)場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)


(6)由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低


國產(chǎn)高壓MOS管選型手冊(cè)

國產(chǎn)高壓MOS管型號(hào)表如下:


Part Numbe

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KNX4820A

9

200

0.26

0.4

670

KNX4820B

9

200

0.25

0.3

418

KIA18N20A

18

200

0.12

0.18

1140

KNX9120A

40

200

0.05

0.065

2800

KNX9130A

40

300

0.11

0.13

3100

KNX3730A

50

300

0.05

0.065

3400

KNX4820A

9

200

0.26

0.4

670

KNX4820B

9

200

0.25

0.3

418

KIA18N20A

18

200

0.12

0.18

1140

KNX9120A

40

200

0.05

0.065

2800

KNX9130A

40

300

0.11

0.13

3100

KNX3730A

50

300

0.05

0.065

3400

KIA6035A

11

350

0.38

0.48

844

KNX4540A

6

400

0.8

1

490

KNX6140A

10

400

0.35

0.5

1254

KIA5N50H

5

500

1.25

1.5

525

KIA840S

8

500

0.7

0.9

960

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

KNX4850A

9

500

0.7

0.9

960

KNX6450A

13

500

0.4

0.48

2149

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

KIA24N50H

24

500

0.16

0.2

3500

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

KNH8150A

30

500

0.15

0.2

4150

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

KIA5N60E

4.5

600

2

2.5

780

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

KNX4760A

8

600

0.85

1.1

1250

KIA10N60H

9.5

600

0.6

0.73

1570

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

KNX7160A

20

600

0.35

0.45

2800

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

KIA7N65H

7

650

1.2

1.4

1000

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

KIA10N65H

10

650

0.65

0.75

1650

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

KIA12N65H

12

650

0.63

0.75

1850

KIA6N70H

5.8

700

1.8

2.3

650

KIA7N80H

7

800

1.4

1.9

1300

KIA10N80H

10

800

0.85

1.1

2230

KIA9N90S

9

900

1.05

1.4

2780

KNL42150A

2.8

1500

6.5

9

1500


MOS管發(fā)熱分析

1.電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。


2.頻率太高,主要是有時(shí)過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。


3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。


4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

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