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300V MOS管選型-300V MOS管型號參數、封裝尺寸、價格等資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-09-05 

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300V MOS管選型-300V MOS管型號參數、封裝尺寸、價格等資料

300V MOS管型號-KNX9130A主要參數詳情

型號命名:KNX9130A

工作方式:40A/300V

漏源電壓:300V

門-源電壓:±20V

連續(xù)漏電電流:40A

單脈沖雪崩能量:1250MJ

二極管峰值恢復:5.0V/ns

漏源擊穿電壓:300V

輸入電容:3100pF

輸出電容:250pF

反向傳輸電容:80pF


300V MOS管型號-KNX9130A產品特點

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

專有的新平面技術

低柵電荷最小開關損耗

快速恢復體二極管


 MOS管型號-KNX9130A產品應用領域

1、不間斷電源

2、直流-直流變換器

3、電機控制

4、其他領域


300V MOS管型號-KNX9130A產品封裝實物圖


300V MOS管


300V MOS管


300V MOS管原廠

深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計,集研發(fā)、生產和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。


300V MOS管


KIA半導體也一直執(zhí)行全面質量管理體系,是將所有產品質量從芯片設計開始,一直貫徹到客戶使用的全過程質量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質量控制體系下生產的產品,在相關環(huán)節(jié)的質量狀態(tài)和信息都是有效控制,確保提供給客戶的產品是安全可靠的。

需要咨詢更多產品信息、價格、封裝等資料,請聯系我們,我們將竭誠為您服務!


MOS管參數介紹

ards---漏源電阻溫度系數

aID---漏極電流溫度系數

Vn---噪聲電壓

η---漏極效率(射頻功率管)

Zo---驅動源內阻

VGu---柵襯底電壓(直流)

VDu---漏襯底電壓(直流)

Vsu---源襯底電壓(直流)

VGD---柵漏電壓(直流)

VDS(sat)---漏源飽滿電壓

VDS(on)---漏源通態(tài)電壓

V(BR)GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓

Vss---源極(直流)電源電壓(外電路參數)

VGG---柵極(直流)電源電壓(外電路參數)

VDD---漏極(直流)電源電壓(外電路參數)

VGSR---反向柵源電壓(直流)

VGSF--正向柵源電壓(直流)

Tstg---貯成溫度

Tc---管殼溫度

Ta---環(huán)境溫度

Tjm---最大容許結溫

Tj---結溫

PPK---脈沖功率峰值(外電路參數)

POUT---輸出功率

PIN--輸入功率

PDM---漏極最大容許耗散功率

PD---漏極耗散功率

R(th)ja---結環(huán)熱阻

R(th)jc---結殼熱阻

RL---負載電阻(外電路參數)

Rg---柵極外接電阻(外電路參數)

rGS---柵源電阻

rGD---柵漏電阻

rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻

rDS(on)---漏源通態(tài)電阻

rDS---漏源電阻

Ls---源極電感

LD---漏極電感

L---負載電感(外電路參數)

Ku---傳輸系數

K---失調電壓溫度系數

gds---漏源電導

ggd---柵漏電導

GPD---共漏極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨導

Ipr---電流脈沖峰值(外電路參數)

Iu---襯底電流

IDSS2---對管第二管漏源飽滿電流

IDSS1---對管第一管漏源飽滿電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IF---二極管正向電流

IGP---柵極峰值電流

IGM---柵極脈沖電流

IGSO---漏極開路時,截止柵電流

IGDO---源極開路時,截止柵電流

IGR---反向柵電流

IGF---正向柵電流

IG---柵極電流(直流)

IDS(sat)---溝道飽滿電流(漏源飽滿電流)

IDSS---柵-源短路時,漏極電流

IDSM---最大漏源電流

IDS---漏源電流

IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)

ID(on)---通態(tài)漏極電流

dv/dt---電壓上升率(外電路參數)

di/dt---電流上升率(外電路參數)

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

Ear:重復雪崩擊穿能量

Iar:雪崩電流

Ton:正導游通時刻.(根本能夠忽略不計).

Qrr :反向恢復充電電量.

Trr :反向恢復時刻.

VSD :正導游通壓降.

ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).

IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).

EAR:重復雪崩擊穿能量.

IAR :雪崩電流.

EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個極限參數,闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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