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mos管規(guī)格書參數(shù)詳解-圖文讀懂MOS管規(guī)格書每一個MOS參數(shù)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-02 

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mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之讀懂每一個mos管參數(shù)

在了解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之前,先來看看mos管的每一個參數(shù)代表什么及說明,mos管除了G、S、D引腳和N溝道m(xù)os管和P溝道m(xù)os管之外還有很多具體的參數(shù),每個詳細參數(shù)如下:


mos管規(guī)格書參數(shù)詳解


Rds(on)----------DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻

Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低

Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V

Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關(guān)系

Pd-----------------最大耗散功率

Tj------------------最大工作結(jié)溫,通常為150度和175度

Tstg---------------最大存儲溫度

Iar-----------------雪崩電流

Ear---------------重復(fù)雪崩擊穿能量

Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量

BVdss------------DS擊穿電壓

Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流

Igss---------------GS驅(qū)動電流,nA級的電流.

gfs----------------跨導(dǎo)

Qg----------------G總充電電量

Qgs--------------GS充電電量

Qgd-------------GD充電電量

Td(on)---------導(dǎo)通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間

Tr----------------上升時間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間

Td(off)----------關(guān)斷延遲時間,輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間

Tf-----------------下降時間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間

Ciss---------------輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.

Coss--------------輸出電容,Coss=Cds +Cgd.

Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.


mos管規(guī)格書參數(shù)詳解


mos管規(guī)格書參數(shù)詳解說明

(一)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。

測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。

影響:超過的話會讓MOSFET損壞。


(二)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:ID的漏電流。

測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。

影響:漏電流越大功耗越大。


(三)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:柵極漏電流

測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。


(四)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:開啟電壓

測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響:低于參考值可能出現(xiàn)不導(dǎo)通現(xiàn)象,設(shè)計時需要考慮范圍值。


(五)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:完全開啟,漏極和源極兩端最大過電流30A,

測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響:低于參考值可能出現(xiàn)不導(dǎo)通現(xiàn)象,設(shè)計時需要考慮范圍值。


(六)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:導(dǎo)通時,Vds的內(nèi)阻

測試條件:在Vgs=10V,通過12A的電流;Vgs=4.5V,通過6A的電流,在漏極和源極兩端的內(nèi)阻。

影響:內(nèi)阻越小,MOS過的電流越大,相同電流下,功耗越小。


(七)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:跨導(dǎo)的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,

跨導(dǎo):

線性壓控電流源的性質(zhì)可表示為方程 I=gV ,其中g(shù)是常數(shù)系數(shù)。系數(shù)g稱作跨導(dǎo)(或轉(zhuǎn)移電導(dǎo)),具有與電導(dǎo)相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。

在MOS管中,跨導(dǎo)的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉(zhuǎn)移特性曲線上,跨導(dǎo)為曲線的斜率。


(八)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解


說明:MOS管體二極管的正向?qū)▔航?/span>

測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過1A的電流。


(九)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:體二極管可承受最大連續(xù)續(xù)電流

測試條件:

影響:如果偏小,在設(shè)計降額不充裕的系統(tǒng)中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(OCP),限制最大輸出電流;過載保護(OLP),限制最大輸出功率;的過程中會引起電流擊穿的風(fēng)險


(十)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:

Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容

Coss=Cds+Cgd 輸出電容

Crss=Cgd(米勒電容)

影響:Ciss:影響到MOS管的開關(guān)時間,Ciss越大,同樣驅(qū)動能力下,開通和關(guān)斷時間就越慢,開關(guān)損壞也就越大。較慢的開關(guān)速度對應(yīng)會帶來較好的EMI

Coss和Crss:這兩項參數(shù)對MOSFET關(guān)斷時間略有影響,其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點的影響。


(十一)

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

說明:    

Qg:柵極總充電電量

Qgs:柵極充電電量

Qgd:柵極充電電量

tD(on):漏源導(dǎo)通延遲時間

tr:漏源電路上升時間

tD(off):漏源關(guān)斷延遲時間

tf:漏源電路下降時間

影響:參數(shù)與時間相互關(guān)聯(lián)的參數(shù),開關(guān)速度越快對應(yīng)的優(yōu)點是開關(guān)損耗越小,效率高,溫升低,對應(yīng)的缺點是EMI特性差,MOSFET關(guān)斷尖峰過高。


mos管規(guī)格書參數(shù)詳解-MOS管發(fā)熱分析

mos管規(guī)格書參數(shù)詳解

1.電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的最忌諱的錯誤。


2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。


3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計,電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。


4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

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