KIA2806A場(chǎng)效應(yīng)管替代150N06B場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用在逆變器、鋰電池保護(hù)板、電源管理中...KIA2806A場(chǎng)效應(yīng)管替代150N06B場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用在逆變器、鋰電池保護(hù)板、電源管理中，KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V...
KCX3406A是N溝道增強(qiáng)型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)。漏源擊穿電壓60V，...KCX3406A是N溝道增強(qiáng)型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)。漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，RDS（開(kāi)啟）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低柵電荷、低反饋電容、開(kāi)...
KNX3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，低電阻，在VGS=10V時(shí)，RDS（...KNX3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，低電阻，在VGS=10V時(shí)，RDS（ON）=6.5m?（典型值），最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能；高雪崩、電...
KIA8606A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓60V，漏極電...KIA8606A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓60V，漏極電流為35A，超低柵極電荷，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能；100%EAS保證、出色的Cdv/dt效應(yīng)、綠色...
KIA3506A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ ...KIA3506A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低電阻、高UIS和UIS 100%測(cè)試，減小損耗，穩(wěn)定可靠；KIA3506A可以代...
KIA30N06B場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流2...KIA30N06B場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流25A，RDS（開(kāi)啟）=25m?@VDS=60V，具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)下降以及100%E...
