KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù)，經(jīng)過專門定制，漏源擊穿電壓100V、漏極電流...KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù)，經(jīng)過專門定制，漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導(dǎo)通電阻特性，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻，提供...
KPS6110B場效應(yīng)管采用先進溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-12A，在VGS=...KPS6110B場效應(yīng)管采用先進溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-12A，在VGS=-10V時，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且堅固、綠色設(shè)備可用，在電源管理、直流...
KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12...KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12n10參數(shù)100V，15A場效應(yīng)管在防盜器、LED驅(qū)動、DC-DC電源、負載開關(guān)中應(yīng)用；KIA6110A...
KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術(shù)，可以代換nce01p30k參數(shù)-100V，-30A場效應(yīng)管...KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術(shù)，可以代換nce01p30k參數(shù)-100V，-30A場效應(yīng)管，KPD8610A漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V，極低電...
KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET，采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)...KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET，采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)，性能優(yōu)越；漏源擊穿電壓為-100V，漏極電流為-23A，低導(dǎo)通電阻RDS（ON）值為78mΩ（...
最大耐壓：30V 最大電流：18A 導(dǎo)通電阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電...最大耐壓：30V 最大電流：18A 導(dǎo)通電阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電容 (Crss)：542pF
