KIA50N03BD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高...KIA50N03BD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，具有超低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，完全表...
因?yàn)樽⑷敕较蚝途A有一定傾角后，注入離子與晶圓內(nèi)部的原子碰撞概率提高，而抑...因?yàn)樽⑷敕较蚝途A有一定傾角后，注入離子與晶圓內(nèi)部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效應(yīng)的產(chǎn)生。 為什么一定是7°傾角呢？如果傾角過大，帶膠注入時(shí)，離子被...
對(duì)于短溝道（L很?。┑腗OS管，由于Source和Drain的距離太近，導(dǎo)致Channel的能帶...對(duì)于短溝道（L很?。┑腗OS管，由于Source和Drain的距離太近，導(dǎo)致Channel的能帶被向下拉，因此導(dǎo)致了處于Cut-Off狀態(tài)下的器件leakage會(huì)增大（因?yàn)闇系赖膭?shì)壘降低了...
鋰電池保護(hù)板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽...鋰電池保護(hù)板專用MOS管KNG3703A漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，具有超低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 7.5mΩ，低柵極電荷，最大限...
二極管 D1 工作在正向偏置狀態(tài)，這反過來又給電容器 C2 充電，直到達(dá)到輸入電源...二極管 D1 工作在正向偏置狀態(tài)，這反過來又給電容器 C2 充電，直到達(dá)到輸入電源電壓的峰值，此時(shí)電容器 C2 就像串聯(lián)在電源上的電池一樣旋轉(zhuǎn)。在相同的時(shí)間段內(nèi)，由...
電源采用PM4020A驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)，具體的器件和變壓器可參考電路圖。注意設(shè)計(jì)時(shí)候...電源采用PM4020A驅(qū)動(dòng)模塊設(shè)計(jì)，具體的器件和變壓器可參考電路圖。注意設(shè)計(jì)時(shí)候應(yīng)該考慮 PM4020A驅(qū)動(dòng)模塊應(yīng)和四個(gè)IRFP460盡量靠近。
