?50n03,30v50amos,KIA50N03BD場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-12-16
KIA50N03BD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，高密度電池設(shè)計(jì)，具有超低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，完全表征雪崩電壓和電流，穩(wěn)定可靠；低柵電荷、低反饋電容、開(kāi)關(guān)速度快以及改進(jìn)的dv/dt能力，在開(kāi)關(guān)電源、電池管理、逆變器、驅(qū)動(dòng)電機(jī)中應(yīng)用表現(xiàn)出色，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：30V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
閾值電壓：1.6V
脈沖漏電流：200A
單脈沖雪崩能量：85MJ
功率耗散：60W
總柵極電荷：25nC
輸入電容：1200PF
輸出電容：150PF
反向傳輸電容：115PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：4.6nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：40nS
上升時(shí)間：35ns
下降時(shí)間：16ns
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