光耦驅(qū)動(dòng)mos管電路詳解-光耦對(duì)mos驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算三種方式-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-06-11
在光耦驅(qū)動(dòng)的電路中，針對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電流是需要特別進(jìn)行估算的．—般常用的估算方式，將對(duì)光耦mos管估算方式進(jìn)行介紹．并對(duì)每種估算方式進(jìn)行講解
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間，從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。
Tr：上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
密勒效應(yīng)時(shí)間（開關(guān)時(shí)間）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS柵極驅(qū)動(dòng)電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)電壓；
以一個(gè)實(shí)際MOS管為例，看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開通（密勒效應(yīng)）假定你希望在0.2us內(nèi)使管子開通，估計(jì)總時(shí)間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，當(dāng)然，這是峰值，僅在管子開通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時(shí)間幾乎沒有電流，平均值很小，但如果驅(qū)動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值，管子的開通就會(huì)變慢。
這3種目前較為常見的對(duì)于光耦應(yīng)用中MOS管進(jìn)行估算的方法。每種方法都有其自身的特點(diǎn)，根據(jù)不同的情況，設(shè)計(jì)者可以根據(jù)公式或曲線模式來(lái)對(duì)MOS管的取值進(jìn)行估算。
Form A=常開觸點(diǎn)
Form B=常閉觸點(diǎn)
Form C=轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)
Form E=雙穩(wěn)態(tài)開關(guān)
AT=安培匝數(shù)用于描述磁場(chǎng)靈敏度的參數(shù)
NC是常閉觸點(diǎn)（正常閉合）
NO是常開觸點(diǎn)（常開）
無(wú)觸點(diǎn)，因此沒有觸點(diǎn)的磨損，使用壽命是無(wú)限的；
無(wú)震動(dòng)和彈跳；防震，抗摔性；
無(wú)動(dòng)作聲音；
小體積（有直插和貼片兩種封裝），高信賴性；
AC/DC兼用；
高速切換；
低放電電壓；
低動(dòng)作電流（省電流）；
低開路時(shí)的漏電電流；
輸入與輸出間完全絕緣；
可控制各種負(fù)載（繼電器、電燈、發(fā)光二極管、加熱器、馬達(dá)、電磁吸筒等）。
光耦繼電器是沒有壽命的，發(fā)光二極管導(dǎo)通截止，接收二極管導(dǎo)通截止，不會(huì)因?yàn)槔匣鴫牡?。因此光耦繼電器適用于反復(fù)需要開關(guān)的領(lǐng)域。
光耦繼電器還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是沒響聲，不會(huì)咔嚓咔嚓響
繼電器觸點(diǎn)類型有：1常開、1常閉、1開1閉、2常開、2常閉…..
總之很多很多，按需求選擇。
其實(shí)光耦繼電器按輸出結(jié)構(gòu)也可以分為MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)輸出或SCR(可控硅整流管)輸出。
MOS輸出的負(fù)載電流比較小(通常幾百mA)，而如果是SCR輸出的負(fù)載電流比較大(能達(dá)到幾mA)
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