什么是N溝道MOS管場效應(yīng)管
信息來源:本站 日期:2017-04-29
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負(fù)離子),故在UCs=0時,這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的.
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負(fù)離子),故在UCs=0時,這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)天生N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,溝道加寬,溝道電阻變小。增大。反之UCs為負(fù)時,溝道中感應(yīng)的電子減少,溝道變窄,溝道電阻變大。減少。當(dāng)UCS負(fù)向增加到某一數(shù)值時,導(dǎo)電溝道消失。趨于零,管子截止,故稱為耗盡型。
N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)與增強型MOSFET結(jié)構(gòu)類似,只有一點不同,就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時,溝道已經(jīng)存在。該N溝道是在制造過程中應(yīng)用離子注入法預(yù)先在襯底的表面,在D、S之間制造的,稱之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)和符號如圖1.(a)所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)VGS=0時,這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當(dāng)VGS>0時,將使ID進一步增加。VGS<0時,跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應(yīng)ID=0的VGS稱為夾斷電壓,用符號VGS(off)表示,有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性.
耗盡型MOS場效應(yīng)管,是在制造過程中,預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子,因此,在UGS=0時,這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子,形成N型導(dǎo)電溝道。
當(dāng)UDS>0時,將產(chǎn)生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場,使N溝道變窄,從而使ID減小。當(dāng)UGS更負(fù),達到某一數(shù)值時溝道消失,ID=0。使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓,仍用UP表示。UGS
據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指,當(dāng)VGS=0時即形成溝道,加上準(zhǔn)確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。
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