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1N60H mos管現(xiàn)貨 KIA1N60H 1A/600V PDF文件下載-KIA mos管

信息來源：本站　日期：2018-03-24　

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KIA1N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計高電壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)轉(zhuǎn)換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。

1A, 600V, RDS(on) = 9.3? @VGS = 10V

低柵極電荷（典型的5.0nc）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

產(chǎn)品型號：KIA1N60H

工作方式：1A/600V

漏源電壓：600V

柵源電壓：±30A

漏電流連續(xù)：1.0A

脈沖漏極電流：4.0A

雪崩電流：2.8A

雪崩能量：33mJ

耗散功率：28W

熱電阻：50℃/V

漏源擊穿電壓：600V

溫度系數(shù)：6.6V/℃

柵極閾值電壓：2.2V

輸入電容：120PF

輸出電容：20PF

上升時間：21ns

封裝形式：TO-92、251、252

	KIA1N60H
產(chǎn)品編號	KIA1N60H 1A/600V
產(chǎn)品特征	1A, 600V, R DS(on) = 9.3? @VGS = 10V 低柵極電荷（典型的5.0nc）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	適用于高速功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)，轉(zhuǎn)換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。
封裝形式	TO-92、251、252
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA（可易亞）
網(wǎng)址	kaio.com.cn
PDF總頁數(shù)	總3頁