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KIA100N03AD 30V/90A場(chǎng)效mos管IR8726 PDF參數(shù)資料-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-03-23 

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1、KIA30N39產(chǎn)品描述

功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力,提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓?fù)洹?/span>

2、KIA30N39產(chǎn)品特征

RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

超高密度電池設(shè)計(jì)

超低電阻

快速恢復(fù)體二極管

無(wú)鉛和綠色設(shè)備數(shù)(RoHS)


3、KIA30N39參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):KIA30N39

工作方式:90A/30V

漏源電壓:30V

柵源電壓:±20A

漏電流連續(xù):90A

脈沖漏極電流:360A

雪崩電流:50A

雪崩能量:125mJ

耗散功率:88W

熱電阻:62℃/V

漏源擊穿電壓:30V

溫度系數(shù):0.03V/℃

柵極閾值電壓:1.2V

輸入電容:2200PF

輸出電容:280PF

上升時(shí)間:19.5ns

封裝形式:TO-251、252、253、220


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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