單節(jié)鋰電池保護(hù),電池充放電,保護(hù)板電路圖-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-12-26
1.接地側(cè),源極背靠背
背靠背連接,都是為了避免體二極管流過(guò)不必要的電流,如圖所示,兩個(gè)N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并放置在GND側(cè),這種結(jié)構(gòu)很少用于PCM,但有時(shí)用于通信系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)關(guān)和熱插拔電路。
功率MOSFET的源極背靠背連接
2.高壓側(cè),漏極背靠背
如圖電源端(高壓側(cè))的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見(jiàn)的PCM方案,其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET,Q2是用于電池充電的功率MOSFET。 兩個(gè)N溝道功率MOSFET放置在正端,因此需要兩個(gè)充電泵來(lái)啟用浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)。
高側(cè)功率MOSFET,漏極背靠背連接
如圖所示,放置在電源端(高壓側(cè))的兩個(gè)充電和放電N溝道功率MOSFET源極背靠背連接。 兩個(gè)N溝道功率MOSFET使用公共源極,因此需要充電泵來(lái)驅(qū)動(dòng)。 這種結(jié)構(gòu)也用于負(fù)載開(kāi)關(guān)。
高端功率MOSFET,源極背靠背連接
3.大電流并聯(lián)多個(gè)MOSFET
為了提高電子系統(tǒng)的使用時(shí)間和待機(jī)時(shí)間,電池的容量正在增加,例如3000mAh到5000mAh甚至更大。 為了縮短充電時(shí)間和提高充電速度,通常采用快速充電,即通過(guò)更大的充電電流對(duì)電池充電,例如4A、5A、6A,甚至大到8A。 這樣一來(lái)PCM內(nèi)部功率MOSFET的功耗非常高,溫度也非常高。 為了降低溫度并確保功率MOSFET的可靠運(yùn)行,可以并聯(lián)使用兩個(gè)或多個(gè)MOSFET,如圖所示。
大電流充放電并聯(lián)多個(gè)MOSFET
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