50n06場效應管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-12-03
KIA50N06BD場效應管漏源電壓60V,漏極電流50A,低導通電阻RDS(ON)10.5mΩ;具有低Rds開啟,低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗;高雪崩電流,能夠承受較高的電壓脈沖,提高可靠性,確保在應用中高效穩(wěn)定;無鉛綠色環(huán)保,適用于適配器、開關(guān)電源、UPS電源、車載功放、電動工具中;封裝形式:TO-252。
漏流電壓:60V
柵源電壓(連續(xù)):±25V
連續(xù)漏電流:50A
脈沖漏極電流:250A
雪崩能量:120A
功耗:88W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:60V
柵極閾值電壓:3V
輸入電容:2060 PF
輸出電容:755 PF
開通延遲時間:14nS
關(guān)斷延遲時間:20nS
上升時間:13 ns
下降時間:7.5ns
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