?10n65場效應管參數(shù),KIA10N65H參數(shù)引腳圖,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-04
KIA10N65H場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低導通電阻，低柵極電荷(典型48nC)，有效降低開關損耗，提升效率；具有快速交換功能、指定的雪崩能量以及改進的DV/DT功能，穩(wěn)定可靠，提高開關響應速度，可以替代10n65型號應用在高壓、高速功率開關應用中，如高效開關電源、LED驅動、儲能電源；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
漏源通態(tài)電阻：0.65Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：709MJ
功率耗散：52W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：1650PF
輸出電容：1665PF
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：70ns
下降時間：80ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
