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7n65f參數(shù)及代換,KNX4665B場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖規(guī)格書-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-09-03 

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7n65f參數(shù)及代換,KNX4665B場效應(yīng)管中文資料

KNX4665B場效應(yīng)管可以替代7n65型號應(yīng)用在DCDC轉(zhuǎn)換器、電源適配器、鎮(zhèn)流器、LED驅(qū)動中,漏源擊穿電壓650V,漏極電流7A,能夠承受較大的電壓壓力及良好的導(dǎo)電性能;RDS(ON)的典型值為1.1Ω,低導(dǎo)通電阻,低柵極電荷最小化,有效降低開關(guān)損耗,提升整體性能;符合ROHS標準、配備快速恢復(fù)體二極管,可以有效減少反向恢復(fù)時間,提高開關(guān)速度,封裝形式:TO-252、TO-220F。

7n65f參數(shù)及代換,KNX4665B場效應(yīng)管

7n65f參數(shù)及代換,KNX4665B場效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:650V

漏極電流:7A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):1.1Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:28A

雪崩能量單脈沖:400MJ

最大功耗:75/42W

輸入電容:1048PF

輸出電容:98PF

總柵極電荷:24nC

開通延遲時間:12nS

關(guān)斷延遲時間:34nS

上升時間:12ns

下降時間:14ns


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