無(wú)源器件有包括哪幾種類型,以及詳解電阻器件的作用
信息來(lái)源:本站 日期:2017-10-06
沒(méi)有硅化物阻擋層掩模的工藝中,按方塊電阻值R□增大的順序可分為:金屬、硅化的多品硅、源/漏P、或N+材料、N阱等。
金屬層可以為電路提供阻值很小的電阻。在CMOS工藝中,—般用鋁線作為電阻,但是在用鋁線做電阻時(shí),金屬條不能太窄,否則會(huì)影響電路的匹配;此類電阻的溫度系數(shù)約為0.3%/℃。
硅化物多晶硅的薄層電阻很?。s每方塊電阻為3~5Ω),因此也可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)小阻值的電阻。缺點(diǎn)是其方塊電阻值R□與工藝有關(guān),其變化范圍高達(dá)60%~70%。因此,多晶硅電阻僅用在對(duì)電P絕N精度要求不高的場(chǎng)合。多晶硅電阻的溫度系數(shù)在+0.2%/℃和+0.4%/℃之間。
P+和N+的源/漏區(qū)也能作為電阻。由于它們的薄層電阻的方塊電阻值也為每方塊電阻3~50左右,儀適合做小電阻,其隨工藝而變化的范圍可高達(dá)50%;而且,它與襯底之間的PN結(jié)會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的電容,該電容值還與結(jié)電壓有關(guān)。
N阱電阻的薄層方塊電阻值約為lkΩ左右,并且受工藝影響比較大,可能達(dá)到土40%。由于邊緣擴(kuò)散的影響,當(dāng)阱深為幾微米時(shí),電阻的寬度不同,其R□值也不同;另外,Ro隨N阱到襯底電壓的變化而劇烈改變,導(dǎo)致電阻出現(xiàn)非線性,且難以確定阻值大小。N阱電阻的溫度系數(shù)7℃為+0.2%~十0.5%/℃。
向多晶電阻的薄層電阻值會(huì)隨溫度和上藝的不同而不同,所以在版圖設(shè)計(jì)中要預(yù)防這種變化。對(duì)于多晶電阻的溫度系數(shù)(取決于摻雜類型和濃度)必須在每一個(gè)不同的工藝中對(duì)其進(jìn)行測(cè)量確定。
多晶電阻在摻雜P、和N+時(shí)的溫度系數(shù)的典型值分別為+0.1 %/℃和-0.1%i℃。一般而言,由工藝引起的阻值變化通常小土20%。
使用硅化物阻擋層的多晶電阻具有線性度高,對(duì)襯底電容小和失配較小的特點(diǎn)。實(shí)際上這種電阻的線性度取決于其長(zhǎng)度,并且在高精度應(yīng)用中需要精確地測(cè)量和建模。
高密度線性電容器在CMOS工藝中的結(jié)構(gòu)可以分為:多晶硅覆蓋擴(kuò)散區(qū)( PIS)、多晶硅覆蓋多晶硅(PIP)、金屬覆蓋多晶硅(MIP)和金屬覆蓋金屬(MIM)等,它們均作為電容器的兩個(gè)極板,并在它們之間生長(zhǎng)較薄的氧化層。當(dāng)然線性電容器還可設(shè)計(jì)成三明治結(jié)構(gòu),如圖16.6所示。
三明治結(jié)構(gòu)的電容器的總的電容值為每相鄰兩層間電容之和,因此圖16.6所示的電容值為MIM電容值的四倍。
在版圖實(shí)現(xiàn)中,各種結(jié)構(gòu)的單位而積的電容值都與兩極板間的間距成反比但各不相同,在0.25μm工藝中,不同結(jié)構(gòu)的電容值大約為:
①M(fèi)IM電容,即相鄰金屬層之間的電容(如圖16.6中所示的Cl,…,C4)在1.15 fF/μm2左右。
②MIP電容,即金屬1與多晶之間的電容大約是1.5fF/μm2左右。
③PIP電容大約為1.5 fF/μm2左右。
④PIS電容大約為6 fF/μm2左右。
以上各種結(jié)構(gòu)的電容,隨工藝變化的范圍不同,對(duì)于MIM電容其誤差高達(dá)20%,而柵氧電容的誤差一般可控制在5%以內(nèi)。并且不同金屬層之間的電容的隨機(jī)變化趨于“中和”而相互抵消,因而圖16.6所示的三明治結(jié)構(gòu)的電容比其他結(jié)構(gòu)的電容受工藝變化的影響要小得多。
①電容所占的面積。
②底層極板寄生電容Cp和極板問(wèn)電容C的比值Cp/C。
當(dāng)然對(duì)于精確要求的電容,必須考慮邊緣電容的影響。這類電容可以從相應(yīng)的工藝設(shè)計(jì)手冊(cè)提供的表格中查到。
還有一類電容結(jié)構(gòu),是把MOS晶體管源/漏短接作為電容的一個(gè)極板,而其柵作為電容的另一個(gè)極板,從而構(gòu)成一個(gè)電容,此類電容只要柵/源電壓足以使其溝道產(chǎn)生反型層即可。由此也可看出此類電容的電容值強(qiáng)烈依賴于柵/源電壓,因此制約了這種結(jié)構(gòu)的使用。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(zhǎng)按二維碼識(shí)別關(guān)注