国产精品夜夜春夜夜爽久久小_少妇被又大又粗又爽毛片久久黑人_小箩莉末发育娇小性色xxxx_九九精品国产亚洲av日韩_成·人免费午夜视频

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

小信號參數(shù)MOS晶體管的工作區(qū)域是否會有什么變化,小信號參數(shù)是什么

信息來源:本站 日期:2017-08-22 

分享到:

在強反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作

小信號參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態(tài),而且工作在飽和區(qū),求這種狀況下的小信號參數(shù)。
應用第1章的式(1.18),可將跨導gm表示如下:

在能夠疏忽溝道長度調(diào)制效應的狀況下,得到

這個跨導gm能夠用漏極電流ID表示為

也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為

體跨導gmb能夠由下式求得:

由式(1.18)和式(1.20),能夠分別導出

所以得到

應用式(1.18),能夠?qū)⒙O電導表示為

應用這些小信號參數(shù),能夠?qū)⑿⌒盘柭O電流id表示為下式:

CMOS模仿電路中主要運用的下作區(qū)域是強反型的飽和區(qū)。表2.1列出這個工作區(qū)域中的小信號參數(shù)。
mos管


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1



關(guān)注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”

長按二維碼識別關(guān)注