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KNX2906B N溝道場(chǎng)效應(yīng)管代換 60V130A HY3306參數(shù)代換-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2022-10-13　

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KNX2906B N溝道場(chǎng)效應(yīng)管代換 60V130A HY3306參數(shù)代換-KIA MOS管


KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品描述

該功率MOSFET采用KIA的先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關(guān)時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，低柵電荷，特別是優(yōu)異的雪崩特性。


KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品特征

RDS（打開）類型=4.6mΩ@VGS=10V

低柵電荷（典型145nC）

高堅(jiān)固性

100%雪崩測(cè)試

改進(jìn)的dv/dt功能


KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品應(yīng)用

同步整流

鋰電池保護(hù)板

逆變器


KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品封裝

KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換


KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換-產(chǎn)品參數(shù)

KNX2906B 60V130A HY3306參數(shù)代換


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