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Cadence仿真:MOS管參數(shù)名稱(chēng)解析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-10-09 

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Cadence仿真:MOS管參數(shù)名稱(chēng)解析-KIA MOS管


Cadence仿真中,MOS管的參數(shù)很多,有些參數(shù)可以直接添加到計(jì)算器中,進(jìn)行數(shù)據(jù)的計(jì)算。


type:MOS管類(lèi)型,可能值為 n 或 p。


region:MOS管的工作區(qū)域,可能值為 0~4,分別對(duì)應(yīng):0: 關(guān)斷;1: 線(xiàn)性區(qū);2: 飽和區(qū);3: 亞閾值區(qū);4: 擊穿


reversed:MOS管是否反向,可能值為 yes 或 no。


ids (A): 阻性漏源電流

lx4 (A): ids 的別名,當(dāng) MOS管反向時(shí)有相反的符號(hào)。

lx50 (A):襯源電流。

vgs / lx2 (V):柵源電壓。

vds / lx3 (V):漏源電壓。

vbs / lx1 (V):襯源電壓。

vth (V):有效閾值電壓。

lv9 (V):vth 的別名。

vdsat (V):漏源飽和電壓。

lv26 (V):平帶電壓(Flat-band voltage)。

lv10 (V):vdsat 的別名。

gm / lx7 (S):共源跨導(dǎo)。

gds / lx8 (S):共源輸出跨導(dǎo)。

gmbs / lx9 (S):襯底跨導(dǎo)。

betaeff (A/V2):有效 β 值。

cjd / lx29 (F):漏區(qū)襯底結(jié)電容。

cjs / lx28 (F):源區(qū)襯底結(jié)電容。

lx12 (Coul):襯底電荷(Qb)

lx14 (Coul):柵極電荷(Qg)

lx16 (Coul):漏區(qū)電荷(Qd)

lx24 (Coul):漏區(qū) PN 結(jié)電荷。

lx26 (Coul):源區(qū) PN 結(jié)電荷。

cgg / lx18 (F):dQg_dVg

cgd / lx19 (F):dQg_dVd

cgs / lx20 (F):dQg_dVs

cgb (F):dQg_dVb

cdg / lx32 (F):dQd_dVg

cdd / lx33 (F):dQd_dVd

cds / lx34 (F):dQd_dVs

cdb (F):dQd_dVb

csg (F):dQs_dVg

csd (F):dQs_dVd

css (F):dQs_dVs

csb (F):dQs_dVb

cbg / lx21 (F):dQb_dVg

cbd / lx22 (F):dQb_dVd

cbs / lx23 (F):dQb_dVs

cbb (F):dQb_dVb

ron():導(dǎo)通電阻。

id / i1 (A):漏端電流。

is / i3 (A):源端電流。

ibulk / i4 (A):襯底電流。

lx5 (A):源端 PN 結(jié)電流。

lx6 (A):漏端 PN 結(jié)電流。

pwr (W):處于工作點(diǎn)時(shí)的功耗。

gmoverid (1/V):Gm/Ids

lv36 (F):柵源交疊電容。

lv37 (F):柵漏交疊電容。

lv38 (F):柵襯底交疊電容。

lx10 (S):漏區(qū)二極管跨導(dǎo)。

lx11 (S):源區(qū)二極管跨導(dǎo)。


KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴,主動(dòng)了解客戶(hù)需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶(hù)提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。


MOS管 參數(shù)



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