n溝道和p溝道增強型mos管的工作原理 場效應(yīng)mos管
信息來源:本站 日期:2017-07-17
絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖如圖2-34所示。
N溝道加強型MOSFET的溝道構(gòu)成及符號如圖2-35所示,其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)濃度較低的P型半導(dǎo)體襯底上制造兩個高濃度的N型區(qū),并分別將它們作為源極s和漏極D,然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層,并在上面引出一個電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號。
N溝道加強型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖2-36所示。
式中,UT為開啟電壓(或閾值電壓);μn為溝道電子運動的遷移率;Cox為巾位面積柵極電容;W為溝道寬度;疋為溝道長度;W/L為MOSFET的寬長比。在MOSFET集成電路設(shè)計中,寬長比是一個極為重要的參數(shù)。
N溝道MOS管的輸出特性曲線如圖2-37所示。與結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性相似,它也分為恒流區(qū)、叮變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。其特性如下所示。
①截止區(qū):UGS≤UT,導(dǎo)電溝道未構(gòu)成,iD=0。
②恒流區(qū):
·曲線距離平均,UGS對iP的控制才能強;
·UDS對iD的控制才能弱,曲線平整;
·進入恒流區(qū)的條件,即預(yù)災(zāi)斷條件為UDS≥UCS-UT。
③可變電阻區(qū):
可變電阻區(qū)的電流方程為
因而,可變電阻區(qū)的輸出電阻rDS為
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