国产精品夜夜春夜夜爽久久小_少妇被又大又粗又爽毛片久久黑人_小箩莉末发育娇小性色xxxx_九九精品国产亚洲av日韩_成·人免费午夜视频

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

n溝道和p溝道增強型mos管的工作原理 場效應(yīng)mos管

信息來源:本站 日期:2017-07-17 

分享到:

N溝道增強型MOS管

1.構(gòu)造

絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造表示圖如圖2-34所示。

2.N溝道增強型MOSFET

1)N溝道增強型MOSFET的導(dǎo)電溝道的構(gòu)成

N溝道加強型MOSFET的溝道構(gòu)成及符號如圖2-35所示,其中圖2-35 (a)所示是在一塊雜質(zhì)濃度較低的P型半導(dǎo)體襯底上制造兩個高濃度的N型區(qū),并分別將它們作為源極s和漏極D,然后在襯底的外表制造一層Si02絕緣層,并在上面引出一個電極作為柵極G。圖2-35(b)所示是其在電路中的符號。

2)N溝道加強型MOSFET的特性曲線

轉(zhuǎn)移特性曲線

N溝道加強型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖2-36所示。

式中,UT為開啟電壓(或閾值電壓);μn為溝道電子運動的遷移率;Cox為巾位面積柵極電容;W為溝道寬度;疋為溝道長度;W/L為MOSFET的寬長比。在MOSFET集成電路設(shè)計中,寬長比是一個極為重要的參數(shù)。

輸出特性曲線

N溝道MOS管的輸出特性曲線如圖2-37所示。與結(jié)型場效應(yīng)管的輸出特性相似,它也分為恒流區(qū)、叮變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。其特性如下所示。

①截止區(qū):UGS≤UT,導(dǎo)電溝道未構(gòu)成,iD=0。

②恒流區(qū):

·曲線距離平均,UGS對iP的控制才能強;

·UDS對iD的控制才能弱,曲線平整;

·進入恒流區(qū)的條件,即預(yù)災(zāi)斷條件為UDS≥UCS-UT。

③可變電阻區(qū):

可變電阻區(qū)的電流方程為

因而,可變電阻區(qū)的輸出電阻rDS為


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”

長按二維碼識別關(guān)注