科普分享|FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區(qū)別！

今天給大家推一篇關(guān)于FET、 MOSFET、 MESFET、 MODFET的區(qū)別！

FET，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield Effect Transistor，簡(jiǎn)單理解就是個(gè)水管閥門。

關(guān)上

打開

FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;

柵極（Gate），是個(gè)門，閥門，打開FET，電子就流動(dòng)，關(guān)上閥門，電子就不流動(dòng)。

漏極（Drain），電子流出FET；

電子是負(fù)電荷，所以，是從GND流到Vcc的

MOSFET，Y2T149聊到MOS是個(gè)電容，MOSFET叫做金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

是現(xiàn)在數(shù)字半導(dǎo)體芯片常用的結(jié)構(gòu)：

MESFET金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect

Transistor，用在第一代模擬或者射頻電路上。

MODFET調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管Modulation Doped Field Effect  Transistor,MODFET

MOSFET、與MODFET/MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制；

MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導(dǎo)體（電容）做柵極；

MODFET/MESFET是用金屬-半導(dǎo)體接觸（肖特基二極管），用二極管做柵極。速度比MOS要快，可以用在高速電路上。

MOS相當(dāng)于塑料閥門頭，MES/MOD是銅閥門頭

那MESFET和MODFET的區(qū)別

MODFET有異質(zhì)結(jié)，形成一個(gè)二維層，叫二維電子氣(Two-dimensional electron gas,

2DEG)是指電子氣可以自由在二維方向移動(dòng)，而在第三維上受到限制的現(xiàn)象。

小結(jié)：

FET 就是水管子閥門

MOSFET 是塑料閥門

MESFET是銅閥門

MODFET不光是銅閥門，還用了陶瓷閥芯

MESFET截止頻率比MOSFET高三倍

MODFET截止頻率比MESFET高30%

學(xué)術(shù)解釋：

所有場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的輸出特性均相似。低漏偏壓時(shí)存在一線性區(qū)。偏壓變大時(shí)，輸出電流最終達(dá)到飽和；電壓足夠高時(shí)，漏端將發(fā)生雪崩擊穿。根據(jù)閾值電壓的正或負(fù)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為增強(qiáng)型(常斷模式)或耗盡型(常通模式)。金屬?半導(dǎo)體接觸是MESFET與MODFET器件的基本結(jié)構(gòu)。使用肖持基勢(shì)壘作為柵極、兩個(gè)歐姆接觸作為源極與漏極。

MODFET器件高頻性能更好。器件結(jié)構(gòu)上除柵極下方的異質(zhì)結(jié)外，大體上與MESFET相似。異質(zhì)結(jié)界面上形成二維電子氣(亦即可傳導(dǎo)的溝道)，具有高遷移率與高平均漂移速度的電子可通過(guò)溝道由源極漂移到漏極。

截止頻率fT是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一個(gè)高頻指標(biāo)。在給定長(zhǎng)度時(shí)，Si MOSFET(n型)的fT最低，GaAs MESFET的fT比硅約高三倍。常用GaAs MODFET與贗晶SiGe MODFET的fT 比GaAs MESFET約高30％。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助