国产精品夜夜春夜夜爽久久小_少妇被又大又粗又爽毛片久久黑人_小箩莉末发育娇小性色xxxx_九九精品国产亚洲av日韩_成·人免费午夜视频

廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

P溝道m(xù)osfet選型和參數(shù)資料及工作原理、工作特性詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-09-11 

分享到:

p溝道m(xù)osfet
P溝道m(xù)osfet工作原理

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為銜接源極和漏極的溝道。改動?xùn)艍嚎梢愿膭訙系乐械碾娮用芏?,從而改動溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,加上恰當(dāng)?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道m(xù)osfet的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道m(xù)osfet。此外,P溝道m(xù)osfet閾值電壓的絕對值普通偏高,懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。P溝道m(xù)osfet因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)呈現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價錢低價,有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通,適宜用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是,固然PMOS可以很便當(dāng)?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動,但由于導(dǎo)通電阻大,價錢貴,交流種類少等緣由,在高端驅(qū)動中,通常還是運用NMOS。

P溝道m(xù)osfet

P溝道MOS管工作原理的特性

正常工作時,P溝道增強型MOS管的襯底必需與源極相連,而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值,以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏,同時為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道,柵極對源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。

1.Vds≠O的情況導(dǎo)電溝道構(gòu)成以后,DS間加負(fù)向電壓時,那么在源極與漏極之間將有漏極電流Id流通,而且Id隨Vds而增加.Id沿溝道產(chǎn)生的壓降使溝道上各點與柵極間的電壓不再相等,該電壓削弱了柵極中負(fù)電荷電場的作用,使溝道從漏極到源極逐漸變窄.當(dāng)Vds增大到使Vgd=Vgs(TH),溝道在漏極左近呈現(xiàn)預(yù)夾斷.

2.導(dǎo)電溝道的構(gòu)成(Vds=0)當(dāng)Vds=0時,在柵源之間加負(fù)電壓Vgs,由于絕緣層的存在,故沒有電流,但是金屬柵極被補充電而聚集負(fù)電荷,N型半導(dǎo)體中的多子電子被負(fù)電荷排斥向體內(nèi)運動,表面留下帶正電的離子,構(gòu)成耗盡層,隨著G、S間負(fù)電壓的增加,耗盡層加寬,當(dāng)Vgs增大到一定值時,襯底中的空穴(少子)被柵極中的負(fù)電荷吸收到表面,在耗盡層和絕緣層之間構(gòu)成一個P型薄層,稱反型層,這個反型層就構(gòu)成漏源之間的導(dǎo)電溝道,這時的Vgs稱為開啟電壓Vgs(th),Vgs到Vgs(th)后再增加,襯底表面感應(yīng)的空穴越多,反型層加寬,而耗盡層的寬度卻不再變化,這樣我們可以用Vgs的大小控制導(dǎo)電溝道的寬度。

增強型P溝道m(xù)osfet開關(guān)條件

p溝道mosfet作為開關(guān)使用時,是由Vgs的電壓值來控制S(source源極)和 D(drain漏極)間的通斷。

Vgs的最小閥值電壓為:0.4v,也就是說當(dāng) S(source源極)電壓 — G(gate柵極)極    > 0.4V 時, 源極 和 漏極導(dǎo)通。

并且Vs = Vd ,S極電壓等于D極電壓。

例如:S極 為 3.3V,G極 為0.1V,則  Vgs = Vg  —  Vs = -3.2 pmos管導(dǎo)通,D極電壓為3.3V

一般pmos管當(dāng)做開關(guān)使用的時,S極和D極之間幾乎沒有壓降。

在實際使用中,一般G極接MCU控制管腳,S極接電源正極VCC,D極接器件的輸入。實際使用中的一個樣例如下:

P溝道m(xù)osfet

RF_CTRL為低電平的時候,RF_RXD 和 RF_TXD上的電壓為VDD。

下面電路為P溝道MOS管用作電路切換開關(guān)使用電路:

P溝道m(xù)osfet

電路分析如下:

pmos的開啟條件是VGS電壓為負(fù)壓,并且電壓的絕對值大于最低開啟電壓,一般小功率的PMOS管的最小開啟電壓為0.7V左右,假設(shè)電池充滿電,電壓為4.2V,VGS=-4.2V,PMOS是導(dǎo)通的,電路是沒有問題的。當(dāng)5V電壓時,G極的電壓為5V,S極的電壓為5VV-二極管壓降(0.5左右)=4.5V,PMOS管關(guān)段,當(dāng)沒有5V電壓時,G極電壓下拉為0V,S極的電壓為電池電壓(假設(shè)電池充滿電4.2V)-MOS管未導(dǎo)通二極管壓降(0.5V)=3.7,這樣PMOS就導(dǎo)通,二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導(dǎo)通對負(fù)載供電。在這里用一個肖特基二極管(SS12)也可以解決這個問題,不過就是有0.3V左右的電壓降。這里使用PMOS管,PMOS管完全導(dǎo)通,內(nèi)阻比較小,優(yōu)與肖特基,幾乎沒有壓降。不過下拉電阻使用的有點大,驅(qū)動PMOS不需要電流的,只要電壓達(dá)到就可以了,可以使用大電阻,減少工作電流,推薦使用10K-100K左右的電阻。

p溝道m(xù)osfet參數(shù)

深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。這里主要是講述P溝道m(xù)osfet的參數(shù)、型號。

P溝道m(xù)osfet

P溝道m(xù)osfet

注:這里只列出了部分型號,需咨詢更多型號及參數(shù)參考資料,請聯(lián)系我們!


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號

請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術(shù)幫助