深圳晶圓公司概況-晶圓提供商-晶圓制造過(guò)程及工藝-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-05-27
深圳晶圓公司,深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
深圳晶圓,如果您需要晶圓,也可以聯(lián)系我們!2005年在深圳福田,KIA半導(dǎo)體開(kāi)啟了前行之路,注冊(cè)資金1000萬(wàn),辦公區(qū)域達(dá)1200平方,已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心,研發(fā)人員以來(lái)自韓國(guó)(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì),可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來(lái)設(shè)計(jì)方案,同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國(guó)外先進(jìn)設(shè)備,業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái),使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng),并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車(chē)配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新,力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
買(mǎi)晶圓請(qǐng)聯(lián)系我們,KIA半導(dǎo)體將竭誠(chéng)為您服務(wù)!
二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅熔解,再于溶液內(nèi)摻入一小粒的硅晶體晶種,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一顆小晶粒在融熔態(tài)的硅原料中逐漸生成,此過(guò)程稱為“長(zhǎng)晶”。 硅晶棒再經(jīng)過(guò)研磨,拋光,切片后,即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片,這就是“晶圓”。
簡(jiǎn)單的說(shuō),單晶硅圓片由普通硅砂拉制提煉,經(jīng)過(guò)溶解、提純、蒸餾一系列措施制成單晶硅棒,單晶硅棒經(jīng)過(guò)拋光、切片之后,就成為了晶圓。
晶圓經(jīng)多次光罩處理,其中每一次的步驟包括感光劑途布、曝光、顯影、腐蝕、滲透或蒸著等等,制成具有多層線路與元件的IC晶圓,再交由后段的測(cè)試、切割、封裝廠,以制成實(shí)體的集成電路成品。
晶圓制造工藝
表面清洗
晶圓表面附著一層大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)之,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。
1、初次氧化
有熱氧化法生成SiO2 緩沖層,用來(lái)減小后續(xù)中Si3N4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù):干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來(lái)形成,柵極二氧化硅膜,要求薄,界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。
2、熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)
此方法生產(chǎn)性高,梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng),及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等,故用途極廣。膜生成原理,例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化學(xué)反應(yīng)(熱分解,氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。
3、熱處理
在涂敷光刻膠之前,將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力,防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來(lái)進(jìn)行的。
4、去除氮化硅
此處用干法氧化法將氮化硅去除
5、離子注入
離子布植將硼離子(B+3) 透過(guò)SiO2 膜注入襯底,形成P型阱離子注入法是利用電場(chǎng)加速雜質(zhì)離子,將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點(diǎn)是可以精密地控制擴(kuò)散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。
6、退火處理
去除光刻膠放高溫爐中進(jìn)行退火處理 以消除晶圓中晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力,以恢復(fù)晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴(kuò)散到替代位置,產(chǎn)生電特性。
7、去除氮化硅層
用熱磷酸去除氮化硅層,摻雜磷(P+5) 離子,形成N 型阱,并使原先的SiO2 膜厚度增加,達(dá)到阻止下一步中n 型雜質(zhì)注入P 型阱中。
8、去除SIO2層
退火處理,然后用HF 去除SiO2 層。
9、干法氧化法
干法氧化法生成一層SiO2 層,然后LPCVD 沉積一層氮化硅。此時(shí)P 阱的表面因SiO2 層的生長(zhǎng)與刻蝕已低于N 阱的表面水平面。這里的SiO2 層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來(lái)的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的
10、隔離層。
光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù),利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù),保留下柵隔離層上面的氮化硅層。
11、濕法氧化
生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2 層,形成PN 之間的隔離區(qū)。
12、生成SIO2薄膜
熱磷酸去除氮化硅,然后用HF 溶液去除柵隔離層位置的SiO2 ,并重新生成品質(zhì)更好的SiO2 薄膜, 作為柵極氧化層。
13、氧化
LPCVD 沉積多晶硅層,然后涂敷光阻進(jìn)行光刻,以及等離子蝕刻技術(shù),柵極結(jié)構(gòu),并氧化生成SiO2 保護(hù)層。
14、形成源漏極
表面涂敷光阻,去除P 阱區(qū)的光阻,注入砷(As) 離子,形成NMOS 的源漏極。用同樣的方法,在N 阱區(qū),注入B 離子形成PMOS 的源漏極。
15、沉積
利用PECVD 沉積一層無(wú)摻雜氧化層,保護(hù)元件,并進(jìn)行退火處理。
16、沉積摻雜硼磷的氧化層
含有硼磷雜質(zhì)的SiO2 層,有較低的熔點(diǎn),硼磷氧化層(BPSG) 加熱到800 oC 時(shí)會(huì)軟化并有流動(dòng)特性,可使晶圓表面初級(jí)平坦化。
17、深處理
濺鍍第一層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞,濺鍍鈦+ 氮化鈦+ 鋁+ 氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu),并用PECVD 在上面沉積一層SiO2 介電質(zhì)。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦,加熱去除SOG 中的溶劑。然后再沉積一層介電質(zhì),為沉積第二層金屬作準(zhǔn)備。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助