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NCE3080K可替代什么品牌MOS管型號(hào)-NCE3080K中文資料-KIA MOS管

信息來(lái)源：本站　日期：2019-05-24　

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KNX3403A可替代NCE3080K

NCE3080和KNX3403A兩個(gè)型號(hào)為低壓MOS管，KIA半導(dǎo)體是專(zhuān)業(yè)制造中、低、高壓MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K，接下來(lái)會(huì)寫(xiě)出NCE3080和KNX3403A兩個(gè)型號(hào)的規(guī)格書(shū)、封裝、參數(shù)等。


低壓MOS管內(nèi)阻特點(diǎn)

創(chuàng)新高壓技術(shù)

低柵極電荷

定期額定雪崩

較強(qiáng)dv/dt能力

高電流峰值


KIA半導(dǎo)體KNX3403A產(chǎn)品概述
（一）MOS管 KNX3403A 85A/30V參數(shù)

型號(hào)：KNX3403A

電流：85A

電壓：30V

漏至源電壓:30V

門(mén)到源電壓:±20V

脈沖漏電流測(cè)試:340A

雪崩電流:25A

雪崩能源:156MJ

接頭和儲(chǔ)存溫度范圍:-55℃至+175℃


（二）MOS管 KNX3403A特點(diǎn)

RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V

無(wú)鉛綠色設(shè)備

降低導(dǎo)電損耗

高雪崩電流


（三）KNX3403A封裝


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（四）KNX3403A規(guī)格書(shū)

查看規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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NCE3080K產(chǎn)品介紹
（一）NCE3080K產(chǎn)品概述

VDS=30V,ID=80A

RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V

RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V

超低RDSON高密度電池設(shè)計(jì)

完全特征雪崩電壓和電流

良好的散熱包裝

高靜電放電性能的特殊工藝技術(shù)


（二）NCE3080K產(chǎn)品應(yīng)用

電源切換應(yīng)用

硬開(kāi)關(guān)和高頻電路

不間斷電源


（三）NCE3080K產(chǎn)品參數(shù)詳情

漏源電壓：30V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù):80A

脈沖漏電流:170A

最大功耗:83W

漏源擊穿電壓:30V

輸入電容：4700PF

輸出電容：4700PF

反向轉(zhuǎn)移電容:345PF


（四）NCE3080K封裝圖


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（五）MOS管 NCE3080K產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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