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500v功放管mos參數(shù)選型及MOS管原廠制造-mos功放優(yōu)缺點-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-05-24 

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500v功放管mos

什么是功放管

KIA半導(dǎo)體供應(yīng)500v功放管mos,先來看看功放管的分類:A類功放(又稱甲類功放) A類功放輸出級中兩個(或兩組)晶體管永遠(yuǎn)處于導(dǎo)電狀態(tài),也就是說不管有無訊號輸入它們都保持傳導(dǎo)電流,并使這兩個電流等于交流電的峰值,這時交流在最大訊號情況下流入負(fù)載。當(dāng)無訊號時,兩個晶體管各流通等量的電流,因此在輸出中心點上沒有不平衡的電流或電壓,故無電流輸入揚(yáng)聲器。當(dāng)訊號趨向正極,線路上方的輸出晶體管容。


功放管參數(shù)

晶體管類型 PNP - Darlington


電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大) 100V


電流 - 集電極 (Ic)(最大) 10A

功率 - 最大 125W


在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V


Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大) 2V @ 10mA, 5A


電流 - 集電極截止(最大) 2mA


500v功放管mos選型

下面是500v功放管mos的參數(shù)選型表:


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KIA5N50H

5

500

1.25

1.5

525

KIA840S

8

500

0.7

0.9

960

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

KNX4850A

9

500

0.7

0.9

960

KNX6450A

13

500

0.4

0.48

2149

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

KIA24N50H

24

500

0.16

0.2

3500

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

KNH8150A

30

500

0.15

0.2

4150


500v功放管mos-KIA半導(dǎo)體原廠介紹

500v功放管mos原廠供應(yīng)商介紹,KIA半導(dǎo)體主營半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富,是一家國產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場效應(yīng)管、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。


覆蓋領(lǐng)域:工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品及新型領(lǐng)域。


500v功放管mos


從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流,KIA半導(dǎo)體真正實現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈,真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵,我們致力于成為場效應(yīng)管(MOSFET)功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者,為了這個目標(biāo),KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新,永不止步!


mos管的功放優(yōu)缺點
(一)優(yōu)點

1、MOS 管功放具有鼓勵功率小,輸出功率大,輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù),平安牢靠,且有工作頻率高,偏置簡單等優(yōu)點。以運(yùn)放的輸出作為OCL 的輸入,到達(dá)抑止零點漂移的效果。


2、中音厚,沒有三極管那么大的交越失真。

電流推進(jìn)級通常由一至二級組成,為了降低輸出阻抗、增加阻尼系數(shù),常采用二級電流推進(jìn)。為了防止電流推進(jìn)級產(chǎn)生開關(guān)失真,較好的作法是、采用MOS管并增大本級的靜態(tài)電流,這樣本級不會產(chǎn)生開關(guān)失真,由于任何狀況下電流推進(jìn)級一直處于放大區(qū),所以電流輸出級也一直處于放大區(qū),因而輸出級同樣不會產(chǎn)生開關(guān)失真和交越失真。


3、MOS管的線性比晶體管好。


(二)缺點

1、低頻的溫和度比晶體管功放差,MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞,MOSFET場效應(yīng)晶體管既具有晶體管的根本優(yōu)點。但運(yùn)用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的牢靠性不高(無法外電路維護(hù)),開關(guān)速度進(jìn)步得不多和最大輸出功率僅為150W/8Ω等。90年代初,MOSFET的制造技術(shù)有了很大打破,呈現(xiàn)了一種高速MOSFET大功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管。


西班牙藝格公司(ECLER)經(jīng)多年研討,攻克了非毀壞性維護(hù)系統(tǒng)的SPM專利技術(shù),推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點分離的第3代功放產(chǎn)品,在歐洲市場上取得了認(rèn)可,并逐漸在世界上得到了應(yīng)用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放,但低頻的溫和度比晶體管功放差一些,此外MOSFET開關(guān)場效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞。


2、開啟電壓太高。


3、偏流開很大,還是有一定的交越失真,沒交越失真,差不多能夠趕上三極管的甲類輸出功耗。


4、MOS管不好配對在同一批次管,相對來說要好配對一點。


5、MOS管的低頻下太硬,用MOS功放聽出所謂電子管音色有一個簡單方法,把普通三極管功放里的電壓推進(jìn)三極管換成JFET,JFET才真正具有電子管音色。


聯(lián)系方式:鄒先生

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