開關(guān)電源-最全面的開關(guān)電源IC內(nèi)部電路詳解-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-05-13
開關(guān)模式電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備,例如個(gè)人電腦,而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。
對于熱愛電源物理的人來所,其實(shí)還是很好理解開關(guān)電源工作原理的,在線性電源中,功率晶體管在工作,而線性電源中導(dǎo)致閉合或者是斷開的則是PWM開關(guān)電源,在閉合、斷開兩種的狀態(tài)之下,加上功率晶體管的電壓是比較小的,就會成產(chǎn)很大的電流,關(guān)閉開關(guān)電源的時(shí)候,則是反過來的,電壓大,而電流就會特別的小,而控制開關(guān)電源工作原理的控制器,就是為了能夠更好的保持穩(wěn)定性,從而給人們的生活環(huán)境帶來安全。
除了以上講述的開關(guān)電源工作原理之外,而開關(guān)電源工作原理在運(yùn)行的時(shí)候,開關(guān)電源也是一定的工作條件的,比如開關(guān),在工作的時(shí)候,不是線性狀態(tài),而是在電子電器工作之下呈現(xiàn)開關(guān)狀態(tài);另外,直流,開關(guān)電源在工作時(shí)候,是直流,不是交流;最后一個(gè)開關(guān)電源的高頻,在電子電器工作狀態(tài)之下,是高頻, 而不是接近于工作的低頻狀態(tài)哦!在開關(guān)電源工作原理中,這些工作條件是一定的。
LM2675-5.0的典型應(yīng)用電路
打開LM2675的DataSheet,首先看看框圖
這個(gè)圖包含了電源芯片的內(nèi)部全部單元模塊,BUCK結(jié)構(gòu)我們已經(jīng)很理解了,這個(gè)芯片的主要功能是實(shí)現(xiàn)對MOS管的驅(qū)動,并通過FB腳檢測輸出狀態(tài)來形成環(huán)路控制PWM驅(qū)動功率MOS管,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓或者恒流輸出。這是一個(gè)非同步模式電源,即續(xù)流器件為外部二極管,而不是內(nèi)部MOS管。
接下來分析各個(gè)功能是怎么實(shí)現(xiàn)的
類似于板級電路設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電源,芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個(gè)基準(zhǔn)電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。芯片內(nèi)部的參考電壓又被稱為帶隙基準(zhǔn)電壓,因?yàn)檫@個(gè)電壓值和硅的帶隙電壓相近,因此被稱為帶隙基準(zhǔn)。這個(gè)值為1.2V左右,如下圖的一種結(jié)構(gòu):
這里要回到課本講公式,PN結(jié)的電流和電壓公式:
可以看出是指數(shù)關(guān)系,Is是反向飽和漏電流(即PN結(jié)因?yàn)樯僮悠圃斐傻穆╇娏鳎?。這個(gè)電流和PN結(jié)的面積成正比!即Is->S。
如此就可以推導(dǎo)出Vbe=VT*ln(Ic/Is) !
回到上圖,由運(yùn)放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,這樣可得:I1=△Vbe/R1,而且因?yàn)镸3和M4的柵極電壓相同,因此電流I1=I2,所以推導(dǎo)出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結(jié)面積之比!
回到上圖,由運(yùn)放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,這樣可得:I1=△Vbe/R1,而且因?yàn)镸3和M4的柵極電壓相同,因此電流I1=I2,所以推導(dǎo)出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1) N是Q1 Q2的PN結(jié)面積之比!
這樣我們最后得到基準(zhǔn)Vref=I2*R2+Vbe2,關(guān)鍵點(diǎn):I1是正溫度系數(shù)的,而Vbe是負(fù)溫度系數(shù)的,再通過N值調(diào)節(jié)一下,可是實(shí)現(xiàn)很好的溫度補(bǔ)償!得到穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓。N一般業(yè)界按照8設(shè)計(jì),要想實(shí)現(xiàn)零溫度系 數(shù),根據(jù)公式推算出Vref=Vbe2+17.2*VT,所以大概在1.2V左右的,目前在低壓領(lǐng)域可以實(shí)現(xiàn)小于1V的基準(zhǔn),而且除了溫度系數(shù)還有電源紋波抑制PSRR等問題,限于水平?jīng)]法深入了。最后的簡圖就是這樣,運(yùn)放的設(shè)計(jì)當(dāng)然也非常講究:
如圖溫度特性仿真:
我們知道開關(guān)電源的基本原理是利用PWM方波來驅(qū)動功率MOS管,那么自然需要產(chǎn)生振蕩的模塊,原理很簡單,就是利用電容的充放電形成鋸齒波和比較器來生成占空比可調(diào)的方波。
最后詳細(xì)的電路設(shè)計(jì)圖是這樣的:
這里有個(gè)技術(shù)難點(diǎn)是在電流模式下的斜坡補(bǔ)償,針對的是占空比大于50%時(shí)為了穩(wěn)定斜坡,額外增加了補(bǔ)償斜坡。
誤差放大器的作用是為了保證輸出恒流或者恒壓,對反饋電壓進(jìn)行采樣處理。從而來調(diào)節(jié)驅(qū)動MOS管的PWM,如簡圖:
最后的驅(qū)動部分結(jié)構(gòu)很簡單,就是很大面積的MOS管,電流能力強(qiáng)。
這里的其他模塊電路是為了保證芯片能夠正常和可靠的工作,雖然不是原理的核心,卻實(shí)實(shí)在在的在芯片的設(shè)計(jì)中占據(jù)重要位置。
具體說來有幾種功能:
1、啟動模塊
啟動模塊的作用自然是來啟動芯片工作的,因?yàn)樯想娝查g有可能所有晶體管電流為0并維持不變,這樣沒法工作。啟動電路的作用就是相當(dāng)于“點(diǎn)個(gè)火”,然后再關(guān)閉。如圖:
上電瞬間,S3自然是打開的,然后S2打開可以打開M4 Q1等,就打開了M1 M2,右邊恒流源電路正常工作,S1也打開了,就把S2給關(guān)閉了,完成啟動。如果沒有S1 S2 S3,瞬間所有晶體管電流為0。
2、過壓保護(hù)模塊OVP
很好理解,輸入電壓太高時(shí),通過開關(guān)管來關(guān)斷輸出,避免損壞,通過比較器可以設(shè)置一個(gè)保護(hù)點(diǎn)。
3、過溫保護(hù)模塊OTP
溫度保護(hù)是為了防止芯片異常高溫?fù)p壞,原理比較簡單,利用晶體管的溫度特性然后通過比較器設(shè)置保護(hù)點(diǎn)來關(guān)斷輸出。
4、過流保護(hù)模塊OCP
在譬如輸出短路的情況下,通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態(tài),可以關(guān)斷或者限流。如圖的電流采樣,利用晶體管的電流和面積成正比來采樣,一般采樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一,然后通過電壓比較器來控制MOS管的驅(qū)動。
還有一些其他輔助模塊設(shè)計(jì)。
在IC內(nèi)部,如何來設(shè)置每一個(gè)晶體管的工作狀態(tài),就是通過偏置電流,恒流源電路可以說是所有電路的基石,帶隙基準(zhǔn)也是因此產(chǎn)生的,然后通過電流鏡來為每一個(gè)功能模塊提供電流,電流鏡就是通過晶體管的面積來設(shè)置需要的電流大小,類似鏡像。
以上大概就是一顆DC/DC電源芯片LM2675的內(nèi)部全部結(jié)構(gòu),也算是把以前的皮毛知識復(fù)習(xí)了一下。當(dāng)然,這只是原理上的基本架構(gòu),具體設(shè)計(jì)時(shí)還要考慮非常多的參數(shù)特性,需要作大量的分析和仿真,而且必須要對半導(dǎo)體工藝參數(shù)有很深的理解,因?yàn)橹圃旃に嚊Q定了晶體管的很多參數(shù)和性能,一不小心出來的芯片就有缺陷甚至根本沒法應(yīng)用。
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