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MOS管開關電源-淺析MOS管是如何控制電源達到緩啟動目的的-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-06-14 

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電源,MOS管,開關電源

MOS管開關電源

MOS管最常見的應用可能是電源中的開關元件,此外,它們對電源輸出也大有裨益。服務器和通信設備等應用一般都配置有多個并行電源,以支持N+1 冗余與持續(xù)工作 (圖1)。各并行電源平均分擔負載,確保系統(tǒng)即使在一個電源出現(xiàn)故障的情況下仍然能夠繼續(xù)工作。


不過,這種架構還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起,并保證某個電源的故障不會影響到其它的電源。在每個電源的輸出端,有一個功率MOS管可以讓眾電源分擔負載,同時各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOS管被稱為"ORing"FET,因為它們本質上是以 "OR" 邏輯來連接多個電源的輸出。


如何用MOS管控制使之達到電源緩啟動的目的

在電信工業(yè)和微波電路設計領域,普遍使用MOS管控制沖擊電流的方達到電流緩啟動的目的。MOS管有導通阻抗Rds_on低和驅動簡單的特點,在周圍加上少量元器件就可以構成緩慢啟動電路。雖然電路比較簡單,但只有吃透MOS管的相關開關特性后才能對這個電路有深入的理解。


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MOSFET的開通過程

盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應用,但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解MOSFET開關過程,以及MOSFET在開關過程中所處的狀態(tài)一般來說,電子工程師通?;跂艠O電荷理解MOSFET的開通的過程,如圖1所示此圖在MOSFET數(shù)據(jù)表中可以查到。


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圖1 AOT460柵極電荷特性


MOSFET的D和S極加電壓為VDD,當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時,輸入電容Ciss充電,G和S極電壓Vgs線性上升并到達門檻電壓VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏極電流Id≈0A,沒有漏極電流流過,Vds的電壓保持VDD不變。


當Vgs到達VGS(th)時,漏極開始流過電流Id,然后Vgs繼續(xù)上升,Id也逐漸上升,Vds仍然保持VDD當Vgs到達米勒平臺電壓VGS(pl)時,Id也上升到負載電流最大值ID,Vds的電壓開始從VDD下降。米勒平臺期間,Id電流維持ID,Vds電壓不斷降低。


米勒平臺結束時刻,Id電流仍然維持ID,Vds電壓降低到一個較低的值米勒平臺結束后,Id電流仍然維持ID,Vds電壓繼續(xù)降低,但此時降低的斜率很小,因此降低的幅度也很小,最后穩(wěn)定在Vds=Id×Rds(on)因此通??梢哉J為米勒平臺結束后MOSFET基本上已經(jīng)導通。


對于上述的過程,理解難點在于為什么在米勒平臺區(qū),Vgs的電壓恒定?驅動電路仍然對柵極提供驅動電流,仍然對柵極電容充電,為什么柵極的電壓不上升?而且柵極電荷特性對于形象的理解MOSFET的開通過程并不直觀因此,下面將基于漏極導通特性理解MOSFET開通過程。


MOSFET的漏極導通特性與開關過程

MOSFET的漏極導通特性如圖2所示MOSFET與三極管一樣,當MOSFET應用于放大電路時,通常要使用此曲線研究其放大特性只是三極管使用的基極電流、集電極電流和放大倍數(shù),而MOSFET使用柵極電壓、漏極電流和跨導。


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圖2 AOT460的漏極導通特性


三極管有三個工作區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū),MOSFET對應是關斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)注意:MOSFET恒流區(qū)有時也稱飽和區(qū)或放大區(qū)當驅動開通脈沖加到MOSFET的G和S極時,Vgs的電壓逐漸升高時,MOSFET的開通軌跡A-B-C-D如圖3中的路線所示


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圖3 AOT460的開通軌跡


開通前,MOSFET起始工作點位于圖3的右下角A點,AOT460的VDD電壓為48V,Vgs的電壓逐漸升高,Id電流為0,Vgs的電壓達到VGS(th),Id電流從0開始逐漸增大A-B就是Vgs的電壓從VGS(th)增加到VGS(pl)的過程從A到B點的過程中,可以非常直觀的發(fā)現(xiàn),此過程工作于MOSFET的恒流區(qū),也就是Vgs電壓和Id電流自動找平衡的過程,即Vgs電壓的變化伴隨著Id電流相應的變化,其變化關系就是MOSFET的跨導:Gfs=Id/Vgs,跨導可以在MOSFET數(shù)據(jù)表中查到。


當Id電流達到負載的最大允許電流ID時,此時對應的柵級電壓Vgs(pl)=Id/gFS由于此時Id電流恒定,因此柵極Vgs電壓也恒定不變,見圖3中的B-C,此時MOSFET處于相對穩(wěn)定的恒流區(qū),工作于放大器的狀態(tài)開通前,Vgd的電壓為Vgs-Vds,為負壓,進入米勒平臺,Vgd的負電壓絕對值不斷下降,過0后轉為正電壓驅動電路的電流絕大部分流過CGD,以掃除米勒電容的電荷,因此柵極的電壓基本維持不變Vds電壓降低到很低的值后,米勒電容的電荷基本上被掃除,即圖3中的C點。


于是,柵極的電壓在驅動電流的充電下又開始升高,如圖3中的C-D,使MOSFET進一步完全導通C-D為可變電阻區(qū),相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓Vgs電壓達到最大值,Vds電壓達到最小值,由于Id電流為ID恒定,因此Vds的電壓即為ID和MOSFET的導通電阻的乘積基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時,跨越關斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程米勒平臺即為恒流區(qū),MOSFET工作于放大狀態(tài),Id電流為Vgs電壓和跨導乘積電路原理詳細說明:MOS管是電壓控制器件,其極間電容等效電路如圖4所示。


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圖4. 帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路


MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定:


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R2由允許沖擊電流決定:


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其中Vmax為最大輸入電壓,Cload為C3和DC/DC電源模塊內(nèi)部電容的總和,Iinrush為允許沖擊電流的幅度。


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圖5 有源沖擊電流限制法電路


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D1是一個穩(wěn)壓二極管,用來限制MOS管 Q1的柵源電壓。元器件R1,C1和D2用來保證MOS管Q1在剛上電時保持關斷狀態(tài)。具體情況是:上電后,MOS管的柵極電壓要慢慢上升,當柵源電壓Vgs高到一定程度后,二極管D2導通,這樣所有的電荷都給電容C1以時間常數(shù)R1×C1充電,柵源電壓Vgs以相同的速度上升,直到MOS管Q1導通產(chǎn)生沖擊電流。以下是計算C1和R1的公式:


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其中Vth為MOS管Q1的最小門檻電壓,VD2為二極管D2的正向導通壓降,Vplt為產(chǎn)生Iinrush沖擊電流時的柵源電壓。Vplt可以在MOS管供應商所提供的產(chǎn)品資料里找到。MOS管選擇以下參數(shù)對于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要:l 漏極擊穿電壓 Vds   必須選擇Vds比最大輸入電壓Vmax和最大輸入瞬態(tài)電壓還要高的MOS管,對于通訊系統(tǒng)中用的MOS管,一般選擇Vds≥100V。


柵源電壓Vgs穩(wěn)壓管D1是用來保護MOS管Q1的柵極以防止其過壓擊穿,顯然MOS管Q1的柵源電壓Vgs必須高于穩(wěn)壓管D1的最大反向擊穿電壓。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V,推薦12V的穩(wěn)壓二極管。l 導通電阻Rds_on.MOS管必須能夠耗散導通電阻Rds_on所引起的熱量,熱耗計算公式為:


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其中Idc為DC/DC電源的最大輸入電流,Idc由以下公式確定:


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其中Pout為DC/DC電源的最大輸出功率,Vmin為最小輸入電壓,η為DC/DC電源在輸入電壓為Vmin輸出功率為Pout時的效率。η可以在DC/DC電源供應商所提供的數(shù)據(jù)手冊里查到。MOS管的Rds_on必須很小,它所引起的壓降和輸入電壓相比才可以忽略。


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圖6有源沖擊電流限制電路在75V輸入,DC/DC輸出空載時的波形。


針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管


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在ORing FET應用中,MOS管的作用是開關器件,但是由于服務器類應用中電源不間斷工作,這個開關實際上始終處于導通狀態(tài)。其開關功能只發(fā)揮在啟動和關斷,以及電源出現(xiàn)故障之時 。


相比從事以開關為核心應用的設計人員,ORing FET應用設計人員顯然必需關注MOS管的不同特性。以服務器為例,在正常工作期間,MOS管只相當于一個導體。因此,ORing FET應用設計人員最關心的是最小傳導損耗。



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