FQP50N06,FQP50N06替代,FQP50N06封裝,FQP50N06參數(shù)

KIA MOS管品牌介紹

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，了解一下KIA半導(dǎo)體公司，深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

現(xiàn)已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06，下文有KIA50N06B和FQP50N06兩個MOS管型號的封裝、參數(shù)及規(guī)格書資料詳情。

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-KIA50N06B資料詳解

（一）MOS管KIA50N06B產(chǎn)品特征

1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

2、無鉛綠色裝置

3、降低導(dǎo)電損耗

4、高雪崩電流

（二）KIA50N06B主要參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA50N06B

工作方式：50A/60V

漏源極電壓：60V

柵源電壓：±25

脈沖漏電流：250A

雪崩電流：15A

雪崩能量：120MJ

漏源擊穿電壓：60V

柵電阻:1.0Ω

輸入電容：2060pF

輸出電容：755pF

反向轉(zhuǎn)移電容：375pF

（三）KIA50N06B封裝圖

（四）MOS管KIA50N06B規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。

MOS管KIA50N06B可替代FQP50N06-FQP50N06資料詳解

（一）FQP50N06參數(shù)

（二）FQP50N06封裝圖

（三）FQP50N06規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。

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