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KIA2300可替代SI2300 MOS管規(guī)格書下載-MOS管原廠自主研發(fā)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-28 

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SI2300,SI2300替代,SI2300封裝,6A/20V

KIA2300可替代SI2300,6A/20V

MOS管KIA2300可替代SI2300,KIA半導(dǎo)體主營(yíng)半導(dǎo)體產(chǎn)品豐富,是一家國(guó)產(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管、碳化硅二極管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。


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下文將會(huì)著重介紹KIA2300和SI2300兩個(gè)MOS管型號(hào)的封裝、參數(shù)及附帶規(guī)格書。


MOS管KIA2300可替代SI2300-MOS管KIA2300型號(hào)資料詳情

(一)KIA2300特征

VDS =20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0A

VDS =20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0A

VDS =20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A


(二)KIA2300主要參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):KIA2300

工作方式:6.0A/20V

漏源電壓:20V

柵源電壓:±10A

漏電流連續(xù):6.0A

脈沖漏極電流:20A

耗散功率:1.25W

熱電阻:100℃/V

漏源擊穿電壓:20V

柵極閾值電壓:0.5V

輸入電容:888PF

輸出電容:144PF

上升時(shí)間:14.5ns


(三)KIA2300封裝圖


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(四)MOS管KIA2300規(guī)格書

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MOS管KIA2300可替代SI2300-MOS管SI2300型號(hào)資料詳情

(一)MOS管SI2300參數(shù)圖


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(二)SI2300規(guī)格書

查看及下載詳情,請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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