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大功率mos參數(shù)表大全與開關(guān)電路特性詳解-MOS管原廠自主研發(fā)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-04-16 

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大功率mos參數(shù)表

功率mos

文中列出了KIA半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表,請查看下表。先了解一下功率mos,功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動負(fù)載,帶載能力要強。


功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。

大功率mos參數(shù)表


大功率mos參數(shù)表

KIA半導(dǎo)體大功率mos參數(shù)表如下:


Part Number

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

KIA5N60E

4.5

600

2

2.5

780

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

KIA5N50H

5

500

1.25

1.5

525

KIA840S

8

500

0.7

0.9

960

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

KNX4850A

9

500

0.7

0.9

960

KNX6450A

13

500

0.4

0.48

2149

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

KIA24N50H

24

500

0.16

0.2

3500

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

KNH8150A

30

500

0.15

0.2

4150

KIA10N80H

10

800

0.85

1.1

2230

KNX4760A

8

600

0.85

1.1

1250

KIA10N60H

9.5

600

0.6

0.73

1570

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

KNX7160A

20

600

0.35

0.45

2800

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

KIA7N65H

7

650

1.2

1.4

1000

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

KIA10N65H

10

650

0.65

0.75

1650

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

KIA12N65H

12

650

0.63

0.75

1850

KIA6N70H

5.8

700

1.8

2.3

650

KIA7N80H

7

800

1.4

1.9

1300

KIA9N90S

9

900

1.05

1.4

2780

KNL42150A

2.8

1500

6.5

9

1500


大功率MOS管開關(guān)電路

實例應(yīng)用電路分析


1、 三星等離子V2屏開關(guān)電源PFC部分激勵電路分析;

如下圖1所示是三星V2屏開關(guān)電源,PFC電源部分電原理圖,圖2所示是其等效電路框圖。


圖1



大功率mos參數(shù)表

圖2


圖1所示;是三星V2屏等離子開關(guān)電源的PFC激勵部分。從圖中可以看出;這是一個并聯(lián)開關(guān)電源L1是儲能電感,D10是這個開關(guān)電源的整流二極管,Q1、Q2是開關(guān)管,為了保證PFC開關(guān)電源有足夠的功率輸出,采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯(lián)應(yīng)用(圖2所示;是該并聯(lián)開關(guān)電源等效電路圖,圖中可以看出該并聯(lián)開關(guān)電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的),圖中Q3、Q4是灌流激勵管,Q3、Q4的基極輸入開關(guān)激勵信號, VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。


兩只開關(guān)管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管,R16是Q2的在激烈信號為正半周時的對Q2柵極等效電容充電的限流電阻,D7是Q2在激烈信號為負(fù)半周時的Q2柵極等效電容放電的放電二極管,同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關(guān)機(jī)柵極電荷泄放電阻。D9是開機(jī)瞬間浪涌電流分流二極管。


大功率MOS管特性

上述大功率MOS管工作原理中可以看出,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論:


1) MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件,所以是電壓器件。


2) MOS管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。


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