高壓MOS管 9N90 9A/900V PDF資料及封裝-MOS管原廠 免費(fèi)送樣-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-01-07
此功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS工藝生產(chǎn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少通態(tài)電阻,提供卓越的開關(guān)性能好,可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖適用于高效率開關(guān)電源,有功功率因數(shù)校正基于半橋拓?fù)洹?/span>
型號:KIA9N90S/KIA9N90H
工作方式:9A/900V
漏源極電壓:900V
排水電流:36A
柵源電壓:±30V
單脈沖雪崩能:900MJ
雪崩電流:9.0A
重復(fù)雪崩能:28MJ
峰值二極管恢復(fù):4.0V/ns
運(yùn)行和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃
9A,900V
RDS(on)=1.12ωVGS=10V
低門電荷(典型的70納米)
低Crss(典型的14Pf)
快速切換
100%雪崩試驗
改進(jìn)的數(shù)字視頻傳輸能力
1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
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1、KIA9N90S
2、KIA9N90H
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