MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜...MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞...
?MOS管有用的管腳就是三個：源極、漏極、柵極。多余的管腳或者是同名管腳（在...?MOS管有用的管腳就是三個：源極、漏極、柵極。多余的管腳或者是同名管腳（在內(nèi)部和漏極、柵極相連，特別是有些大功率管），或者是空腳（沒有內(nèi)部連接，只起焊接...
Cds---漏-源電容 Cdu---漏-襯底電容 Cgd---柵-源電容 Cgs---漏-源電容 Cis...Cds---漏-源電容 Cdu---漏-襯底電容 Cgd---柵-源電容 Cgs---漏-源電容 Ciss---柵短路共源輸入電容 Coss---柵短路共源輸出電容 Crss---柵短路共源反向傳輸電...
測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電...測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。
半導體功率器件被廣泛應(yīng)用于汽車電子，網(wǎng)絡(luò)通訊等各大領(lǐng)域，目前最具代表性的兩...半導體功率器件被廣泛應(yīng)用于汽車電子，網(wǎng)絡(luò)通訊等各大領(lǐng)域，目前最具代表性的兩種功率器件即為絕緣柵MOS管場效應(yīng)晶體管(IGBT)和超結(jié)MOSFET(Super-junctionMOSFET)...
三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。穩(wěn)壓管在...三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時，在一定的電流范圍內(nèi)（或者說在一定功率損耗范圍內(nèi)），端電壓幾乎不變，...
