KCB3010A是采用先進SGT技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET，先進的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通...KCB3010A是采用先進SGT技術(shù)的N溝道增強型功率MOSFET，先進的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通損耗、提高開關(guān)性能和增強雪崩能量，漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，低導(dǎo)通電阻（...
無線充專用MOS管KCM9860A是一款高壓器件，漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有...無線充專用MOS管KCM9860A是一款高壓器件，漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有堅固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復(fù)二極管相當(dāng)?shù)脑礃O到漏極恢復(fù)時間、二...
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400...電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，RDS（開啟）典型值=0.53Ω@VGS=10V，較低的導(dǎo)通電阻，可最大限度地...
調(diào)光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開）=14.5mΩ（典型...調(diào)光專用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，...
KNX2912A場效應(yīng)管采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，提供優(yōu)...KNX2912A場效應(yīng)管采用先進的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，提供優(yōu)異的RDS（ON），在VGS=10V時的RDS（ON）僅為6.0mΩ（典型值），低柵極電荷，在儲能...
KNX3403C場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，具有D...KNX3403C場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封裝的RDS（ON）分別為4.3mΩ和4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，...
