KCX2213A場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有高堅(jiān)固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，...KCX2213A場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有高堅(jiān)固性的SGT MOSFET技術(shù)產(chǎn)品，漏源擊穿電壓135V，漏極電流可達(dá)200A，表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能；RDS（ON）僅為2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
KCX2920K場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源...KCX2920K場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，表現(xiàn)出色；RDS（ON）為9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
KNG3303C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極...KNG3303C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極低的導(dǎo)通電阻，RDS(ON)僅為2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM應(yīng)用和負(fù)載開(kāi)關(guān)中表現(xiàn)出色，...
KIA7P03A功率場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力...KIA7P03A功率場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力為-7.5A，電壓為-30V，典型的導(dǎo)通電阻RDS（ON）為18mΩ，在柵源電壓為10V時(shí)；7P03場(chǎng)...
9435場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開(kāi)）=50mΩ（典型值）@VG...9435場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開(kāi)）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降提升整體性能。9435mos管封裝形式：SOP...
KIA4953場(chǎng)效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的...KIA4953場(chǎng)效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性；當(dāng)Vgs為-10V時(shí)，其RDS(on)為54mΩ，而當(dāng)Vgs為-4.5V時(shí)，其RDS(on)為84mΩ...
