150N03場效應(yīng)管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進溝槽...150N03場效應(yīng)管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進溝槽加工技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)為2.1mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗...
dfn封裝和qfn封裝是一種無引腳表面貼裝封裝結(jié)構(gòu)，它們都是現(xiàn)代底部排放封裝形式...dfn封裝和qfn封裝是一種無引腳表面貼裝封裝結(jié)構(gòu)，它們都是現(xiàn)代底部排放封裝形式，頂部嵌入式封裝；dfn封裝是單元體（footprint）的尺寸略大，在焊點面積、耐受能力...
引腳分布1腳為柵極，3腳為源極，2、4腳為漏極。有些封裝2腳伸出可焊接，有些封...引腳分布1腳為柵極，3腳為源極，2、4腳為漏極。有些封裝2腳伸出可焊接，有些封裝2腳懸空。
KNY3103A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1...KNY3103A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1.9mΩ，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；快速切換、100%雪崩測試、允許...
當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下...當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升...
場效應(yīng)管有三種組態(tài)放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路...場效應(yīng)管有三種組態(tài)放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。 （1）共源放大器 如圖所示，它相當于晶體三極管中的共發(fā)射極放大器，是一種常...
