在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口，為了防止充...在某些應(yīng)用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口，為了防止充電器拔掉時(shí),電池電壓出現(xiàn)在充電接口。 (Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路)注意Q3的DS反...
主要保護(hù)GS極，限制Vgs間的最大電壓。 (其一)保護(hù)DS極，其二)起到回流二極管作...主要保護(hù)GS極，限制Vgs間的最大電壓。 (其一)保護(hù)DS極，其二)起到回流二極管作用，其三)為過電流或電感提供反向通路，其四)防止d、s極反向連接，其五)隔離。
1、左邊電路負(fù)載是接在S極對(duì)地，如果R1很小且Q1-G極一直為High，那么流過Q1的電...1、左邊電路負(fù)載是接在S極對(duì)地，如果R1很小且Q1-G極一直為High，那么流過Q1的電流可能將會(huì)非常大，MOS管容易燒；
20A 500V場(chǎng)效應(yīng)管 KNX7150A-產(chǎn)品特征 1、專有新平面技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=0....20A 500V場(chǎng)效應(yīng)管 KNX7150A-產(chǎn)品特征 1、專有新平面技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V 3、低柵極電荷最小化開關(guān)損耗 4、快恢復(fù)體二極管
從輸出特性曲線可以看出，只要Vgs大于截止電壓4.5V，DS就可以導(dǎo)通了。測(cè)試時(shí)直...從輸出特性曲線可以看出，只要Vgs大于截止電壓4.5V，DS就可以導(dǎo)通了。測(cè)試時(shí)直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，負(fù)載電流最大可達(dá)到50A。為了方便單片機(jī)控制Vgs，可加一個(gè)...
自舉電路 作用：在高端和低端MOS管中提到過，由于負(fù)載（電機(jī)）相對(duì)于高端和低...自舉電路 作用：在高端和低端MOS管中提到過，由于負(fù)載（電機(jī)）相對(duì)于高端和低端的位置不同，而MOS的開啟條件為Vgs>Vth，這便會(huì)導(dǎo)致想要高端MOS導(dǎo)通，則其柵極對(duì)地...
