在功率變換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高...在功率變換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便...
輸出電流控制技術(shù)隨半導(dǎo)體開關(guān)的進(jìn)步而發(fā)展。對大多數(shù)負(fù)載管理電路來說，MOSFE...輸出電流控制技術(shù)隨半導(dǎo)體開關(guān)的進(jìn)步而發(fā)展。對大多數(shù)負(fù)載管理電路來說，MOSFET晶體管正在迅速取代繼電器成為所選擇的開關(guān)技術(shù)。
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信...即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)...
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對需要大...這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對需要大范圍給定驅(qū)動(dòng)電壓的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS）...LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個(gè)...
在電路設(shè)計(jì)時(shí)我們常常遇到開漏（open drain）和開集（open collector）的概念。...在電路設(shè)計(jì)時(shí)我們常常遇到開漏（open drain）和開集（open collector）的概念。這兩個(gè)概念到底是什么呢？下文給你帶來詳細(xì)介紹。 開漏（opendrain）介紹 開漏電...
