MOS管工作原理視頻-MOS管工作原理高清視頻-在線觀看-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2018-06-22
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,有增強(qiáng)型跟耗盡型的區(qū)分,但是由于本人沒(méi)見(jiàn)過(guò)耗盡型的mos管,所以直接忽略,需要可自行查閱這兩者的區(qū)分。
MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。
開(kāi)啟電壓(又稱(chēng)閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;
備注:這是設(shè)計(jì)時(shí)候比較重要的值,一般開(kāi)啟電壓是個(gè)范圍,我們要盡量保證電壓大于這個(gè)范圍。(后續(xù)會(huì)推出一個(gè)實(shí)例)
在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下 ,在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:
(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
(2)漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中,其溝道長(zhǎng)度較短,不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長(zhǎng)度為零,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子,將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生大的ID
在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中,使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS,稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。
備注:我們所加的Vgs不能大于 BVGS
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)
gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū),ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似
對(duì)一般的MOS管而言,RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
備注:此值在PWM開(kāi)關(guān)管中尤為重要,會(huì)影響較多參數(shù),一般mos管的發(fā)熱也跟該參數(shù)有較大關(guān)系。
三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容Cgs 、柵漏電容Cgd和漏源電容Cds
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