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KIA原廠家mos場效應(yīng)管 KNP6140A N溝道 10A /400V PDF文件下載-KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-03-16 

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1、KNP6140A特征

專有的新平面技術(shù)

RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V

低門電荷最小化開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管


2、KNP6140A產(chǎn)品應(yīng)用

鎮(zhèn)流器和照明

DC-AC逆變器

其他應(yīng)用程序


3、KNP6140A產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號:KNP6140A

工作方式:10A/400V

漏源電壓:400V

柵源電壓:±30A

漏電流連續(xù):10A

脈沖漏極電流:6A

雪崩能量:650mJ

耗散功率:140W

熱電阻:62℃/W

漏源擊穿電壓:400V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1254PF

輸出電容:21PF

上升時間:25ns

封裝形式:TO-251、252


4、KNP6140A產(chǎn)品規(guī)格


KNP6140A N溝道MOSFET
產(chǎn)品編號 KNP6140A 10A/400V
產(chǎn)品特征

專有的新平面技術(shù)

RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V

低門電荷最小化開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

應(yīng)用范圍

鎮(zhèn)流器和照明

DC-AC逆變器

其他應(yīng)用程序

封裝形式 TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 kaio.com.cn
PDF頁總數(shù) 總8頁


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