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KND4820B現(xiàn)貨供應(yīng)商 KND4820B PDF文件下載 9A 200V參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-03-08 

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KND4820B參數(shù)

1、應(yīng)用

KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設(shè)計,高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。


2、特征

專有的新平面技術(shù)

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷最小化開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管


3、產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號:KND4820B

工作方式:9A/200V

漏源電壓:200V

柵源電壓:±20V

漏電流連續(xù):9.0A

脈沖漏極電流:36A

雪崩能量:300mJ

耗散功率:83V

熱電阻:75℃/W

漏源擊穿電壓:200V

柵極閾值電壓:1.0V

輸入電容:418PF

輸出電容:94PF

上升時間:6.0ns

封裝形式:TO-251、TO-252


4、產(chǎn)品規(guī)格


KND4820B
產(chǎn)品編號 KND4820B 9A/200V
產(chǎn)品特征

專有的新平面技術(shù)

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷最小化開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

適用范圍

高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源,有源基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器。

封裝形式 TO-251、TO-252
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 kaio.com.cn
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聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

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