IRF740供應商 IRF740技術參數信息 IRF740中文資料 KIA 官網
信息來源:本站 日期:2018-01-21
新系列的低電荷PowerMOSFETIRF740LC則具有比傳統(tǒng)MOSFETs明顯更低的柵電荷。利用新型的LCDMOS技術,IRF740LC性能得到增強且無需增加額外的成本,簡化了柵極動需求,從而節(jié)省了系統(tǒng)總體開銷。此外,在大量的高頻應用中,IRF740LC減少了轉換損耗,效能得到強化。
TO-220封裝的IRF740普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF740得到業(yè)內的普遍認可。SMD-220封裝的IRF740適用于貼片安裝,比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝,可說是功率最高,導通阻抗最低。IRF740的SMD-220封裝可適應高強度電流的應用。
2、IRF740特征
動態(tài)dv/dt率
可恢復性雪崩測定
快速轉換速率
并行簡易
僅需簡單驅動
超低柵電荷 - IRF740LC
增強VGS等級 30 V - IRF740LC
極高工作頻率 - IRF740LC
無鉛環(huán)保
3、產品參數
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值: 10A (at 25℃)
電壓, Vgs 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on): 典型值 0.48Ω
(Vgs=10V,Id=5.3A)
電壓Vds 最高:400V
功耗:2.5W
功率溫度:25°C
4、IRF730產品參考
PartNumbe |
VDss(V) |
ID(A) |
MaxRDS(ON) @60%ID(Ω) |
Typical RD(ON)@60%ID(Ω) |
IRF630 |
200 |
9.5 |
300 |
23.3 |
IRF024 |
60 |
14 |
0.10 |
25 |
IRF634 |
250 |
8.1 |
0.45 |
41 |
IRF830 |
500 |
4.5 |
1.5 |
38 |
IRF840 |
500 |
8.0 |
0.85 |
63 |
IRF7811 |
30 |
14 |
14 |
17 |
IRF530 |
100 |
14 |
0.16 |
26 |
IRF7413 |
30 |
13 |
11 |
44 |
聯(lián)系方式:鄒先生
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手機:18123972950
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