4n60mos管供應(yīng)商 4n60規(guī)格書 4n60 PDF在線預(yù)覽-中文資料
信息來源:本站 日期:2018-01-13
描述
N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管
KIA4N60該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn)
4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0 ?@VGS=10V
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開關(guān)速度快
*提升了dv/dt 能力
|
4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
PDF文件 | |
LOGO |
|
廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | kaio.com.cn |
PDF頁數(shù) | 總6頁數(shù) |
聯(lián)系方式:鄒先生(KIA MOS管)
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識(shí)別關(guān)注
描述:
N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管
KIA4N60該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn)
4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0 ?@VGS=10V
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開關(guān)速度快
*提升了dv/dt 能力
|
4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
PDF文件 | |
LOGO |
|
廠家 | KIA原廠家 |
網(wǎng)址 | kaio.com.cn |
PDF頁數(shù) | 總6頁 |