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AD30P30D3替代,-30v-100a,電機驅動pmos,KPY3203D參數(shù)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-12-23 

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-30v-100a pmos,KPY3203D參數(shù)資料

KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-100A,采用先進的高細胞密度溝槽技術,極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ,超低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗;100%EAS保證、CdV/dt效應顯著下降,高效穩(wěn)定,綠色設備可用,符合環(huán)保要求,專用于電機控制和驅動、電動工具中;封裝形式:DFN5x6,散熱良好。

-30v-100a pmos,KPY3203D

-30v-100a pmos,KPY3203D參數(shù)

漏源電壓:-30V

漏極電流:-100A

柵源電壓:±20V

閾值電壓:-1.7V

脈沖漏電流:-400A

單脈沖雪崩能量:312MJ

功率耗散:62.5W

總柵極電荷:130nC

輸入電容:7500PF

輸出電容:1000PF

反向傳輸電容:900PF

開通延遲時間:22nS

關斷延遲時間:110nS

上升時間:30ns

下降時間:40ns

-30v-100a pmos,KPY3203D規(guī)格書

-30v-100a pmos,KPY3203D

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