4703場效應管參數(shù),保護板mos管,KPE4703A中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-15
KPE4703A場效應管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色的RDS(ON)和低柵極電荷，有效降低電路中的開關損耗，提高整體效率；KPE4703A采用先進的高單元密度溝道技術，使得器件能夠在尺寸較小的情況下提供卓越的性能，能夠在鋰電池保護板、智能醫(yī)療設備應用中確保設備穩(wěn)定可靠的運行；封裝形式：SOP-8。
漏源電壓：-30V
漏極電流：-8A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：19mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-50A
雪崩能量單脈沖：96.8MJ
最大功耗：3.1W
輸入電容：1310PF
輸出電容：190PF
總柵極電荷：12.2nC
開通延遲時間：4.5nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：15ns
下降時間：19.4ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
