nmos工作原理示意圖,nmos原理圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-01
NMOS（n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種在柵極區(qū)使用n型摻雜劑的晶體管。柵極端子上的正 (+ve) 電壓會(huì)打開器件。主要用于CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）設(shè)計(jì)以及邏輯和存儲(chǔ)芯片。與 PMOS 晶體管相比，該晶體管速度非?？?，因此可以在單個(gè)芯片上放置更多晶體管。
NMOS晶體管符號(hào)如下所示：
NMOS工作原理：
當(dāng)NMOS晶體管接收到不可忽略的電壓時(shí)，它會(huì)形成閉合電路，這意味著從源極端子到漏極的連接就像電線一樣。因此電流從柵極流向源極。類似地，當(dāng)該晶體管接收到約0V的電壓時(shí)，它會(huì)形成開路，這意味著源極端子到漏極的連接將斷開，因此電流從柵極端子流到漏極。
nmos結(jié)構(gòu)圖：
當(dāng)gs之間存在正壓差時(shí)，靠近氧化硅側(cè)就會(huì)聚集電子，形成導(dǎo)通。
NMOS晶體管由兩個(gè)n型半導(dǎo)體區(qū)域構(gòu)成p型體，這兩個(gè)n型半導(dǎo)體區(qū)域與柵極相鄰，稱為源極和漏極。該晶體管具有控制源極和漏極端子之間的電子流的控制柵極。
由于晶體管的主體接地，因此源極和漏極朝向主體的PN結(jié)被反向偏置。如果柵極端子處的電壓增加，電場將開始增加并將自由電子吸引到 Si-SiO2 界面的底部。
一旦電壓足夠高，電子最終會(huì)填充所有空穴，并且柵極下方的一個(gè)薄區(qū)域（稱為溝道）將反轉(zhuǎn)，成為 n 型半導(dǎo)體。這將通過允許電流流動(dòng)來創(chuàng)建從源極端子到漏極的導(dǎo)電通道，因此晶體管將導(dǎo)通。如果柵極端子接地，則反向偏置結(jié)中沒有電流流動(dòng)，因此晶體管將關(guān)閉。
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