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儲能電源mos管,650v場效應(yīng)管,KIA12N65H參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-10-31 

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儲能電源mos管,650v場效應(yīng)管,KIA12N65H參數(shù)引腳圖-KIA MOS管


650v場效應(yīng)管,KIA12N65H參數(shù)引腳圖

KIA12N65H場效應(yīng)管漏源電壓650V,漏極電流12A,導(dǎo)通電阻RDS(ON)0.63Ω,高效低耗;低柵極電荷(典型值52nC),最小化開關(guān)損耗,快速切換能力在電路中能夠迅速響應(yīng)信號變化,確保信號傳輸?shù)臏?zhǔn)確性、雪崩能量規(guī)定和改進(jìn)的dv/dt能力增強(qiáng)了穩(wěn)定性及安全性;專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓?fù)涞碾娮訜翩?zhèn)流器;封裝形式:TO-220F。

650v場效應(yīng)管,KIA12N65H

650v場效應(yīng)管,KIA12N65H參數(shù)

漏源電壓:650V

漏極電流:12A

漏源通態(tài)電阻:0.63Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:48A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:54W

總柵極電荷:52nC

輸入電容:1850 PF

輸出電容:180 PF

開通延遲時間:30nS

關(guān)斷延遲時間:140nS

上升時間:90ns

下降時間:90ns

650v場效應(yīng)管,KIA12N65H規(guī)格書

650v場效應(yīng)管,KIA12N65H

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