電機驅動mos管,KIA35P10AD場效應管參數,TO-252-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-10-11
KIA35P10AD場效應管采用先進的溝槽MOSFET技術,在電機控制和驅動、電池管理、UPS不間斷電源中熱銷,漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(ON)值為32mΩ,提供出色的RDS(ON)和柵極電荷,最大限度地減少導通損耗,最小化開關損耗;優(yōu)秀的QgxRDS(on)產品(FOM),提供卓越的開關性能,符合JEDEC標準,性能穩(wěn)定可靠;封裝形式:TO-252。
工作方式:-35A/ -100V
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:-135A
單脈沖雪崩能量:95mJ
最大功耗:94W
操作和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃
漏源擊穿電壓:-100V
柵源漏電流:±100nA
輸入電容:5700pF
輸出電容:170pF
聯(lián)系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
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