4n65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),4n65f參數(shù)及代換,KIA4N65H資料-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-08-28
KIA4N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流4A，漏源擊穿電壓為650V，RDS（開(kāi)）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度減少導(dǎo)通電阻；低柵極電荷，典型值為16nC，高堅(jiān)固性、100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力、在雪崩和換向模式下承受高能脈沖，能夠確保穩(wěn)定性和可靠性，帶來(lái)高效率和快速響應(yīng)，減少電路中的噪音和干擾。KIA4N65H可以替代4n65型號(hào)應(yīng)用在高效開(kāi)關(guān)電源、開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)中；封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
漏源通態(tài)電阻：2.5Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：180MJ
功率耗散：58W
總柵極電荷：16nC
輸入電容：560PF
輸出電容：55PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：10nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：40nS
上升時(shí)間：40ns
下降時(shí)間：50ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號(hào)）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。
