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7n60場效應(yīng)管參數(shù),led驅(qū)動mos管,KIA7N60H參數(shù)管腳-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-08-22 

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7n60場效應(yīng)管參數(shù),KIA7N60H參數(shù)管腳圖

KIA7N60H采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn),可最大限度地減少導(dǎo)通電阻,提供卓越的開關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖,非常適合高效開關(guān)模式電源,基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正。


KIA7N60H場效應(yīng)管可以代換7n60型號,在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,漏源擊穿電壓600V,漏極電流7A,RDS(打開)=1.0Ω @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,有效降低功耗和提高效率;具有超低的柵極電荷,典型值為27nC,以及低反向轉(zhuǎn)移電容、雪崩能量測試、改進(jìn)的dv/dt能力,確保在快速切換過程、高壓、高頻率條件下穩(wěn)定可靠,多種封裝形式: TO-263、262、220、220F,方便安裝使用。

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漏源電壓:600V

漏極電流:7.0A

漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):1.0Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:28A

雪崩能量單脈沖:215MJ

最大功耗:140/45W

輸入電容:900PF

輸出電容:100PF

反向傳輸電容:11.5PF

開通延遲時間:20nS

關(guān)斷延遲時間:75nS

上升時間:45ns

下降時間:70ns


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